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毫米波单刀双掷开关的设计与制作被引量：5: 2009年; 以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取，建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑，开关的测试采用了微波探针在片测试系统，在18-30 GHz获得了优异的电性能，插入损耗IL≤1.5 dB，输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1，关断状态下的隔离度ISO≥30 dB，芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。; 李富强方园高学邦吴洪江刘文杰; 关键词：毫米波单刀双掷开关砷化镓赝配高电子迁移率晶体管

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国家重点实验室开放基金(9140C0610040609)