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质检公益性行业科研专项项目(200710199)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：刘芬赵良仲赵志娟更多>>
相关机构：中国科学院更多>>
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相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米尺寸
  • 1篇纳米尺寸效应
  • 1篇晶片
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇硅晶
  • 1篇硅晶片
  • 1篇SIO2膜
  • 1篇XPS研究
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇尺寸效应

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇赵志娟
  • 1篇赵良仲
  • 1篇刘芬

传媒

  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅晶片上超薄氧化硅层厚度纳米尺寸效应的XPS研究被引量：3
2010年
用X射线光电子能谱(XPS)测定了一系列厚度经过国际比对准确已知的硅晶片上的超薄(1.45nm3nm时Si2p结合能增大,此时只有来自SiO2的原子外弛豫,d较小者的Si2p结合能较高.SiO2的价带电子结构也与其厚度纳米尺寸效应有关:当d<2nm时价带中SiO2的O2p非成键电子峰的相对强度较强,O2p—Si3p和O2p—Si3s成键电子峰较弱.
赵志娟刘芬赵良仲
关键词：硅晶片SIO2膜尺寸效应X射线光电子能谱
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共1页<1>
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