河北省重点基础研究项目(12963930D)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- 表面粗糙氢化非晶硅薄膜光学常量的确定
- 2013年
- 由于光学薄膜的透射光谱和反射光谱受表面粗糙程度的影响很大,因此在确定表面粗糙薄膜的厚度及光学常量时,如果不考虑这种影响必然会引起较大的误差。利用标量波散射理论,引入表面均方根粗糙系数,对粗糙薄膜表面的光散射进行了细致分析,得出了光散射影响下薄膜系统透射系数的表达式。在此基础上计算的薄膜厚度以及透射光谱与制备的氢化非晶硅薄膜的相应测量结果基本一致,由此确定的光学常量也更接近实际量值。该方法的运算过程不基于最小值优化算法,无需复杂软件辅助,是准确确定表面粗糙薄膜的厚度以及光学常量的一种有效方法。
- 丁文革卢云霞马登浩苑静侯玉斌于威傅广生
- 关键词：氢化非晶硅薄膜透射光谱
- 锗烷浓度对非晶/微晶相变区硅锗薄膜结构及光电特性的影响
- 2017年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了一系列从非晶到微晶相变区硅锗合金薄膜,研究了锗烷浓度对相变区及相变边缘硅锗薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明,锗烷的加入抑制了晶态硅的生长,使硅锗合金薄膜发生从晶态到非晶结构的转变.相变区硅锗薄膜为富硅合金薄膜,表现为纳米硅晶粒镶嵌于非晶硅锗网络的微观结构.随着锗烷浓度增加,合金薄膜光学带隙Eopt逐渐减小,表征薄膜结构有序性的结构因子F,呈先减小后增加趋势.当锗烷浓度为9%时,硅锗合金薄膜处在非晶/微晶相变边缘,薄膜具有较高的致密性,光敏性接近104,适用于叠层薄膜太阳能电池器件吸光层应用.
- 范闪闪路雪牛纪伟于威傅广生
- 关键词：等离子体增强化学气相沉积光敏性
- 富硅氮化硅/c-Si异质结中的电流输运机理研究被引量：4
- 2012年
- 采用对靶磁控溅射方法在p型晶体硅(c-Si)衬底上沉积n型富硅氮化硅(SiNx)薄膜,形成了富硅SiNx/c-Si异质结.异质结器件呈现出较高的整流比,在室温下当V=±2V时为1.3×103.在正向偏压下温度依赖的J-V特性曲线可以分为三个明显不同的区域.在低偏压区载流子的输运满足欧姆传输机理,在中间偏压区的电流是由载流子的隧穿过程和复合过程共同决定的,在较高偏压区的电输运以具有指数陷阱分布的空间电荷限制电流(SCLC)传输机理为主.
- 丁文革桑云刚于威杨彦斌滕晓云傅广生
- 关键词：异质结
