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国家自然科学基金(10265002)

作品数:7 被引量:10H指数:3
相关作者:王敬义冯信华陶甫廷许淑慧陈正强更多>>
相关机构:华中科技大学广西科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 4篇纯化
  • 3篇等离子体
  • 3篇鞘层
  • 2篇硅粉
  • 2篇函数
  • 2篇分布函数
  • 2篇粉体
  • 1篇等离子体鞘层
  • 1篇动力学分析
  • 1篇阴极鞘层
  • 1篇太阳能级
  • 1篇太阳能级硅
  • 1篇自然科学基金
  • 1篇项目实施
  • 1篇离子
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇工艺参
  • 1篇工艺参数
  • 1篇国家自然科学

机构

  • 7篇广西科技大学
  • 7篇华中科技大学

作者

  • 7篇王敬义
  • 5篇冯信华
  • 5篇陶甫廷
  • 4篇许淑慧
  • 2篇陈政强
  • 2篇苏睿
  • 2篇陈正强
  • 1篇罗文广
  • 1篇陈文辉
  • 1篇尹盛
  • 1篇李战春

传媒

  • 3篇华中科技大学...
  • 3篇广西工学院学...
  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 3篇2006
  • 4篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
国家自然科学基金的申请与实施探讨被引量:1
2005年
针对国家自然科学基金的性质和要求提出了提高申请项目水平和获准率的措施。强调基础研究和应用基础研究的特性、项目的前期工作及具有新颖性是项目获准的三大要素。在项目实施方面,着重论述了科研课题组的关键作用,将人员的分工、成果共享、人才培养及经济管理列为重要内容。同时还提供了收集资料、申请书填写、申请人培养及提高申请和实施水平的一些具体方式和方法。
苏睿王敬义许淑慧陈政强
关键词:国家自然科学基金项目实施
粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数被引量:4
2005年
针对反应室的情况,建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据.应用该模型和判据,选择进气流速为5~2 0cm3 /min(标准状态下) ,抽气比例为0 .1.由于等离子区内只存在表面反应,钝化作用会使纯化效应消失.在鞘层内存在大量高能离子,除表面反应外,离子还能对粉粒表面进行刻蚀,因此钝化效应将消失.按此新的纯化概念,鞘层应尽量增厚.基于鞘尽模型考虑,在适中的压力、电流密度和直流自偏压下,选定鞘层厚度为1.5cm .刻蚀提纯的实验结果表明,硅的纯度可由99.0 0 % .提高到99.97% .
陶甫廷王敬义许淑慧冯信华
关键词:鞘层工艺参数
粉体纯化装置及工艺研究被引量:6
2005年
根据硅粉纯化的要求,提供了一种长落程和高反应速率的冷等离体反应器。工艺参数的选择着重于增大鞘层厚度、提高反应粒子浓度和控制抽气速率,因此,能有效的提高纯化反应的速率、粉料的回收率和粉粒一次沉降的时间。实验结果表明:该设备能将纯度为99%的工业硅纯化为约99.99%的太阳级硅。
王敬义尹盛陶甫廷吴京波冯信华苏睿许淑慧陈正强陈文辉罗文广
圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布被引量:3
2006年
针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.
李战春王敬义陶甫廷冯信华
关键词:等离子体鞘层分布函数
硅粉在鞘区内的纯化速率模型被引量:2
2006年
分析了粉粒在反应区的沉降过程,导出了沉降的最大速度及时间的公式,给出了离子在不同位置上的平均动能及粒子通量.还对高能中性粒子在鞘区内的行为进行了详细的分析并得出在不同位置上的平均动能和通量.它可用于计算空间不同位置处包括离子和高能中性粒子的刻蚀速率,计算结果表明高能中性粒子在很大的空间范围内其刻蚀作用大于离子.在阴极电压为2 300 V的情况下,一次沉降的最大刻蚀量可达50层原子、刻蚀速率1.1×1016/(cm2.s-1),这对粉粒在等离子体中的表面刻蚀和纯化都具有一定的意义.
许淑慧王敬义冯信华陈正强
关键词:离子刻蚀阴极鞘层
圆筒形反应器粉体纯化动力学分析
2005年
对圆筒形纯化反应器的等离子体鞘层进行了动力学分析,得出了鞘区内离子速度的分布函数和不同位置上的离子平均动能。理论计算结果与实验数据吻合较好,对理论和实验工作方面都具有一定的指导意义。
陶甫廷王敬义冯信华
关键词:分布函数
太阳能级硅粉在等离子体中纯化研究
2006年
给出了本研究中所采用工业硅的要求和太阳电池功率高达14%的P型硅材料中单一杂质的阀值。针对太阳能级硅的纯化要求和工业硅的特性,提出了等离子体对硅粒“刻蚀提纯”的新概念。增加鞘层厚度将使硅粉浸泡于高动能离子中的几率增加,钝化效应消失从而达到提高纯化速率的目的。所研制的新型纯化系统能够满足硅粒自旋、长沉降时间和重复纯化的条件,所给出的工艺参数能满足鞘层宽、离子浓度高的要求。实验结果显示这种新的提纯方法可望用于太阳能级硅的制备。
陈政强王敬义陶甫廷
关键词:太阳能级硅
共1页<1>
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