您的位置： 专家智库 > >

云南省自然科学基金(2008CD062)

作品数：1 被引量：0H指数：0
相关作者：刘亚丽叶佳宇王安福王靖林更多>>
相关机构：郧阳师范高等专科学校云南大学更多>>
发文基金：云南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇退火
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇VO2薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备

机构

  • 1篇云南大学
  • 1篇郧阳师范高等...

作者

  • 1篇王靖林
  • 1篇王安福
  • 1篇叶佳宇
  • 1篇刘亚丽

传媒

  • 1篇真空

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
磁控溅射制备纳米二氧化钒半导体薄膜及表征
2010年
本文采用射频磁控溅射法,结合氩气气氛退火工艺制备了VO2薄膜。通过优化磁控溅射和热退火工艺,结合激光拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、电镜扫描(SEM)对薄膜的相结构、组分和表面形貌进行分析。结果表明:溅射衬底温度为150℃,在450℃氩气气氛退火2.5 h能制备出高质量的VO2薄膜,表面呈米粒状,有一定的取向性。
王安福刘亚丽叶佳宇王靖林
关键词：VO2薄膜磁控溅射退火
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0