北京市自然科学基金(4052009)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
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- InP/InGaAs PIN红外探测器增透膜的研究被引量：3
- 2006年
- 简单介绍了单层增透膜的基本工作原理,并理论计算了增透膜为SiO2和Si3N4时InP/InGaAsPIN探测器的透射率。计算结果表明Si3N4的增透效果要优于SiO2,通过测试淀积有Si3N4增透膜的探测器的响应度,并和理论计算的透射率进行比较,研究了不同的淀积工艺对响应度的影响和探测器在不同应用时膜厚的设计方法。
- 杨集冯士维王承栋张跃宗李瑛孙静莹
- 关键词：探测器增透膜淀积
- InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度影响研究被引量：3
- 2006年
- InP盖层对光的吸收及入射光在探测器多界面间的多次反射,使InP层对InGaAs/InPPIN探测器的响应度产生了很大的影响。本文测量了正面和背面入光PIN探测器的响应度,并与测量的InP晶片透射率及模拟的透射率进行比较,分析了InP层对正面及背面入光PIN探测器响应度的影响。结果表明,随着InP层厚度的增加,响应度峰与峰的间隔Δλ不断减小,波形越来越密集。所以正面入光探测器的响应度起伏比较明显,且随着InP层厚度的增加,响应度极值对应的波长发生红移。背面入光探测器的响应度非常密集而成为准连续的带状。
- 杨集冯士维李瑛吕长志谢雪松张小玲
- 关键词：INGAAS/INPPIN探测器响应度
