辽宁省科学技术基金(20072036)
- 作品数：6 被引量：11H指数：3
- 相关作者：揣荣岩李新王健王健刘本伟更多>>
- 相关机构：沈阳工业大学沈阳化工学院中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 发文基金：辽宁省科学技术基金国家自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划更多>>
- 相关领域：电子电信动力工程及工程热物理理学更多>>
- 基于电流致重结晶的Poly-Si纳米薄膜电阻电学修正特性
- 2011年
- 为了提高基于多晶硅纳米薄膜的压阻传感器的性能及成品率,对不同厚度多晶硅薄膜的电阻电学修正特性进行了研究.采用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,620℃下制备多晶硅薄膜.通过固相扩散法实现高掺硼,并基于光刻工艺制作成电阻.实验结果表明,在薄膜电阻上施加高于阈值的电流,可有效降低电阻值.薄膜厚度的变化改变了薄膜结晶度及晶粒尺寸,从而影响其修正阈值电流密度及修正速率.用所建立的晶界填隙原子-空位对模型对电学修正现象进行了理论分析,认为该现象是大电流激励产生的焦耳热导致晶界发生逐层重结晶,从而增大载流子迁移率的结果.研究表明,该方法可用于高掺杂多晶硅电阻的封装后调阻.
- 施长治崔虹云刘晓为揣荣岩李智
- 关键词：多晶硅薄膜厚度
- 复合钝化多晶硅纳米膜应力分布仿真分析
- 2009年
- 多晶硅纳米薄膜具有优良的压阻特性,为提高其在传感器应用中的稳定性和可靠性,对这种薄膜的钝化层结构进行了研究。基于压力传感芯片的结构特点,建立了钝化层结构的有限元分析分析模型,给出了应力分布与SiO_2和Si_3N_4钝化层结构之间关系。结果表明:采用Si_3N_4-SiO_2-Si_3N_4复合钝化结构,适当控制各结构层厚度可有效降低热失配引起的内应力。从而给出了降低薄膜内应力的钝化方法,为多晶硅纳米薄膜在压阻式传感器上的应用提供了必要的技术支持。
- 揣荣岩张大为孙显龙刘斌李新
- 关键词：钝化应力分布有限元压力传感器
- 多晶硅纳米膜压阻超薄微梁加速度敏感结构被引量：4
- 2013年
- 随着微机电系统(MEMS)技术的迅速发展,硅基加速度传感器已经得到广泛应用。但在敏感结构设计中,普遍存在灵敏度与固有谐振频率相互制约的矛盾。为此,采用多晶硅纳米膜作应变电阻,设计了300 nm超薄微梁加速度敏感结构。这种结构的设计改善了灵敏度与谐振频率之间的矛盾,使两者乘积值提高了30余倍,从而使压阻加速度计的性能得到大幅提升。
- 揣荣岩白羽吴美乐代全靳晓诗
- 关键词：加速度传感器压阻式谐振频率
- 牺牲层结构压力传感器技术被引量：1
- 2009年
- 为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在微机电系统压阻传感器中得到有效应用,在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用多晶硅纳米薄膜作为应变电阻,并对这种传感器的工艺方法进行了研究.通过对牺牲层材料及结构的分析,给出了传感器的工艺流程,指出其中存在的工艺难点并给出了解决方法.利用牺牲层技术和多晶硅纳米薄膜制做压阻传感器,不但可以提高传感器的灵敏度,还可改善温度特性,而且可与集成电路工艺相兼容.
- 揣荣岩郑雁公刘本伟王文东崔林李新
- 关键词：牺牲层灵敏度化学气相淀积多晶硅密封腔
- 多晶硅纳米薄膜牺牲层压力敏感结构设计被引量：3
- 2010年
- 为使多晶硅纳米薄膜良好的压阻特性在MEMS（微机电系统）压阻传感器中得到有效应用，在设计牺牲层结构压力传感器芯片中探索性地采用了多晶硅纳米薄膜作为应变电阻，并给出这种传感器的设计方法。分析了牺牲层结构弹性膜片的应力分布对传感器灵敏度的影响，优化设计了量程为0—0．2MPa多晶硅纳米膜压力传感器芯片的结构参数。有限元法仿真结果表明：在保证传感器灵敏度大于50mV／（MPa·V）的前提下，零点温漂系数可小于1×10^-3FS／℃；灵敏度温漂（无电路补偿）可小于1×10^-1FS／℃．为高灵敏、低温漂、低成本的高温压力传感器集成化发展提供了一条可行途径。
- 揣荣岩崔林王健王健刘本伟郑雁公
- 关键词：牺牲层有限元密封腔
- 多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器被引量：4
- 2009年
- 多晶硅纳米薄膜具有优越的应变灵敏特性和稳定的温度特性。为了使这种良好的压阻特性得到实际应用,文中给出了多晶硅纳米薄膜压阻式压力传感器的设计方法。根据多晶硅纳米薄膜压阻特性和硅杯腐蚀技术条件确定弹性膜片结构,并采用有限元分析方法对弹性膜片尺寸以及应变电阻分布进行了优化。依据优化设计结果试制了压力传感器芯片。实验表明该传感器工艺简单、高温特性好、灵敏度高。
- 王健王健揣荣岩何晓宇刘伟
- 关键词：压力传感器有限元
