国家自然科学基金(60671041)
- 作品数：6 被引量：18H指数：2
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- 高迁移率IWO透明导电氧化物薄膜制备及其退火处理研究被引量：11
- 2008年
- 采用直流磁控溅射法在清洁玻璃基片上制备了掺钨氧化铟(IWO)透明导电氧化物薄膜。研究了氧分压及其退火处理对IWO薄膜光电性能的影响。实验发现薄膜的光电性能对氧分压非常敏感,退火郸理有助于改善IWO薄膜的电阻率。获得了最小电阻率为2.2×10-4Ω.cm,载流子迁移率为63.5 cm2/V.s,可见光范围平均透射率(含基片)为83.2%的IWO薄膜样品。
- 李桂锋张群王颖华李喜峰
- 关键词：退火处理磁控溅射
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管
- P型掺锌硫化铜铝透明导电薄膜的制备和性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用渠道火花烧蚀技术,在普通玻璃基板上制备掺锌硫化铜铝CuAl0.90Zn0.10S2透明导电薄膜。运用X射线衍射法(XRD)和原子力显微镜(AFM)分析薄膜的晶体结构和表面形貌。研究不同的制备条件对薄膜光电性能的影响。结果显示,薄膜表面平整致密,均为p型导电。氩气压强和基板温度对薄膜的电阻率和载流子浓度具有显著影响,例如,随着氩气压强增加,电阻率会先降低再上升,而载流子浓度则先增加再降低。在优化的制备条件下,薄膜的电阻率最小值为0.2Ω.cm,载流子浓度为6.67×1018cm-3,载流子迁移率最大为1.06 cm2V-1S-1。在基板温度Ts=500℃时,获得了室温下最高电导率为50.9 S.cm-1的薄膜。薄膜可见光区域的平均透射率大于60%。
- 王颖华张群李桂锋施展谭华
- 关键词：透明导电薄膜P型半导体
- P型导电Ni0.9Cu0.1O透明氧化物半导体薄膜的研究
- P型CuAlO与透明氧化物InGaZnO(IGZO)沟道层薄膜的发现开拓了透明电子学全新的研究领域—透明氧化物半导体(Transparent oxide semiconductor,TOS),使得透明p-n结、晶体管以及...
- 杨铭施展张群
- 文献传递
- 室温制备P型透明导电CuO:Ni薄膜的研究被引量：2
- 2009年
- 在自主研发的一系列p型导电Cu1-xNixO靶材基础上,选择具有最佳电导率的Cu0.95Ni0.05O靶材,采用脉冲等离子体沉积技术在室温条件下普通玻璃衬底上制备了Cu0.95Ni0.05O透明导电薄膜。Seebeck系数测试表明所有薄膜均为p型导电。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分别研究了薄膜的晶格结构和表面形貌,证实了所制备薄膜均为非晶结构。研究了氧气压强、脉冲电压和脉冲电流等成膜条件对薄膜电学性能和光学性能的影响。在氧气压强为3.0Pa,脉冲电压为-18kV,脉冲电流为4.5mA条件下,获得了电导率最大值7.1S·cm-1,可见光区域的平均透射率为65%,光学禁带宽度为4.3eV的光电性能相对优良的p型透明导电薄膜。
- 施展杨铭李桂锋王颖华张群
- 关键词：透明导电氧化物P型半导体
- 掺钨二氧化锡透明导电氧化物薄膜的性能研究
- 透明导电氧化物(TCO)薄膜因具有低电阻率和高透射率,从而广泛应用于平板显示器、太阳电池和透明电子器件等领域。由于太阳光在可见光范围(400-700 nm)的能量只占其发光全波长范围 (300-2500 nm)的43%,...
- 黄延伟张群李桂峰
- 关键词：透明导电氧化物太阳电池
- 文献传递
- p型掺锂氧化镍透明氧化物半导体薄膜的制备及性能研究
- 当前n型透明导电氧化物(TCO)薄膜的性能已经能够满足工业需要,而相应的p型透明导电薄膜材料的研发、工艺制备及性能相对落后,这使得有源透明电子器件(如透明p-n结、透明薄膜晶体管等)的发展受到很大的限制。因此p型透明导电...
- 黄延伟程寅李桂峰张群
- 文献传递
- 直流磁控溅射工艺参数对掺钨氧化铟透明导电薄膜性能影响的研究被引量：1
- 2010年
- 采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（IWO）透明导电薄膜。研究了薄膜结构、表面形貌、光学和电学性能与各种制备参数之间的依赖关系。X射线衍射（XRD）谱分析结果表明随着基底温度的升高,薄膜的结晶性得到改善。原子力显微镜（AFM）测试结果表明薄膜颗粒均匀,表面平整。研究发现薄膜的电学性能对制备参数非常敏感。在基板温度为380℃的条件下所制备的样品在可见光区域（400-700 nm）的平均透射率（未扣除基底）均大于80%。获得的IWO薄膜最低电阻率为2.8×10^-4 ohm.cm,对应载流子迁移率49 cm^2V^-1s^-1,载流子浓度4.4×10^20 cm^-3,平均透射率83%。
- 杨铭李喜峰李桂锋张群
- 关键词：直流磁控溅射
- 近红外区高透射率In_2O_3:W透明导电氧化物薄膜的研究被引量：3
- 2008年
- 采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差。与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄膜具有载流子浓度低、迁移率高和近红外区透射率高的特点。研究了氧分压、溅射电流等参数对IWO薄膜电学和光学性能的影响。制备的多晶IWO薄膜最佳电阻率为3.1×10-4Ω.cm,最高载流子迁移率为58 cm2 V-1 s-1,可见光范围平均透射率大于90%,近红外区(700～2500 nm)平均透射率约为85%。
- 冯佳涵杨铭李桂锋张群
- 关键词：近红外
