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电路模拟中非线性方程的周期波形响应: 2009年; 用范数估计方法对非线性高阶微分方程的周期边值问题进行了讨论,通过对非线性二阶微分方程周期边值问题的详细讨论,给出了系统函数对某些变量偏导数的某种范数小于1时,非线性二阶微分方程的波形松弛算法产生的迭代序列收敛到该方程的周期解.用类似的方法给出了非线性高阶微分方程的波形松弛算法产生的迭代序列收敛到该方程周期解的充分性条件.; 蔺小林王晓琴王玉萍何广平; 关键词：波形松弛电路模拟

非线性变延迟随机微分方程Heun法的均方稳定性被引量：4: 2013年; 利用线性插值的改进Heun法,研究了改进Heun法用于求解非线性变延迟随机微分方程的稳定性,得到了在噪声为乘性噪声时,Heun法用于求解非线性变延迟随机微分方程的均方稳定性的充分条件,丰富了非线性延迟随机微分方程算法理论,并用MATLAB对实际算例进行了数值模拟.; 王鹏飞郭忠海王娜蔺小林殷凤; 关键词：均方稳定

预条件IMGS迭代方法的比较定理被引量：9: 2011年; 该文通过比较几种迭代矩阵的谱半径,首次证明了经预条件子I+S_α的IMGS迭代方法比经典的AOR迭代方法收敛速度快;其次证明了预条件SOR方法比经典的SOR方法收敛速度快.最后,证明了有关迭代矩阵的谱半径关于参数的单调性,改进了一些已知的结论.; 李继成蒋耀林; 关键词：预条件子 AOR迭代 M-矩阵

非线性微分动力系统稳定域计算的波形松弛方法被引量：2: 2010年; 非线性微分动力系统稳定域计算是在许多领域具有实际应用的问题。本文对非线性微分动力系统稳定域的计算方法进行了总结,通过对稳定域边界流形的全面分析,提出了用波形松弛方法计算稳定域边界流形的思想,给出了计算稳定域边界流形的波形松弛算法。第一步,找出微分动力系统的所有平衡点,确定渐近稳定平衡点稳定域边界上的平衡点;第二步,用微分动力系统的反方向系统确定原系统渐近稳定平衡点稳定域边界上平衡点的稳定流形;第三步,渐近稳定平衡点稳定域的边界是由边界上平衡点和该平衡点稳定流形的并集构成。最后用例子来说明波形松弛方法在计算稳定域边界流形的有效性。; 蔺小林; 关键词：波形松弛方法

围栅金属氧化物半导体场效应管电流模型被引量：2: 2010年; 针对深亚微米级围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)处于堆积或反型时自由载流子对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET表面势和电流解析模型.考虑耗尽电荷和自由载流子的影响,采用逐次沟道近似法求解电势泊松方程,得到围栅MOSFET从堆积到耗尽,再到强反型的表面势模型,最后通过源漏两端的表面势得到了围栅器件从线性区到饱和区的连续电流模型,并利用器件数值仿真软件Sentaurus对表面势和电流模型进行了验证.研究结果表明,表面势在堆积区和强反型区分别趋于饱和,在耗尽区和弱反型区随栅压的增加而增加,同时漏压的增加将使得沟道夹断,此时表面势保持不变.增加掺杂浓度导致平带所需的负偏压变大,表面势增加.与现有的阈值电压模型相比,该模型的精确度提高了16%以上.; 徐进朋尤一龙李尊朝刘林林; 关键词：载流子表面势漏电流

一种围栅金属氧化物半导体场效应管阈值电压模型被引量：2: 2010年; 针对深亚微米金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)多晶硅耗尽效应加剧问题,提出了一种全耗尽圆柱形围栅MOSFET阈值电压解析模型.通过求解多晶硅耗尽层电势泊松方程,得到多晶硅耗尽层上的压降,用以修正沟道区的通用边界条件.然后利用叠加原理求解沟道二维电势泊松方程,建立了圆柱形围栅MOSFET的表面势和阈值电压解析模型,并利用器件数值仿真软件Sen-taurus对解析模型进行了验证.研究结果表明,衬底掺杂原子浓度越高,或多晶硅掺杂原子浓度越低,多晶硅耗尽层上的压降就越大,阈值电压偏移也越显著.与现有模型相比,该解析模型的精确度提高了34%以上.; 尤一龙李尊朝刘林林徐进朋; 关键词：阈值电压表面势

ON CONTRACTION AND SEMI-CONTRACTION FACTORS OF GSOR METHOD FOR AUGMENTED LINEAR SYSTEMS被引量：1: 2010年; 概括连续 overrelaxation (GSOR ) 方法被黄雾， Parlett 和王介绍并且学习[Numer。数学。102 (2005 ) ， pp.1-38 ] 为解决线性方程，和最佳的重复的扩充系统，参数和相应最佳的集中因素确切被获得。在这份报纸，我们进一步估计收缩和 GSOR 方法的半收缩因素。学习的动机是一个重复方法的集中速度被收缩因素然而并非由实际上决定光谱在有限步的重复计算的半径。为非退化的扩充线性系统，在一些限制下面，我们获得包含的参数的收缩域，它保证 GSOR 方法的收缩因素是不到一个。为单个却一致的扩充线性系统，我们也以一种类似的方式获得参数的半收缩领域。最后，我们使用二个数字例子验证理论结果和 GSOR 方法的有效性。[从作者抽象]; Fang ChenYao-Lin JiangBing Zheng; 关键词：奇异线性系统 SOR方法线性方程组

基于电流补偿的汽车制动特性试验技术仿真研究: 2012年; 为改善汽车制动控制中由于机械惯量不足而引起误差大的缺点,提出了制动器试验台驱动电流控制方法.通过采用机械惯量电模拟的方法,用驱动电流控制来追加影响补偿模拟系统对真实系统的偏离,让模拟系统的转速、角速度逼近于理想化真实系统的值,并用能量误差作为评价指标.经MATLAB仿真试验证明,该控制方法误差小且算法简单,抗干扰性好,鲁棒性强,可以缩短制动距离,控制效果较为理想.; 蔺小林王玉梅; 关键词：制动器电流补偿

全耗尽围栅金属氧化物半导体场效应管二维模型被引量：1: 2011年; 针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显,以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题,提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型.同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响,结合沟道与氧化层界面处的边界条件,求解一维泊松方程,得到一维电势分布模型,然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程,最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型,并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型.利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证,结果表明:该模型克服了本征模型在重掺杂情况下失效和仅考虑耗尽电荷的模型在强反型区失效的缺点,在不同沟道掺杂情况下从亚阈值区到强反型区都适用;与原有模型相比,该阈值电压模型的误差减小了45.5%.; 刘林林李尊朝尤一龙徐进朋; 关键词：表面势阈值电压短沟道效应

Performance and analytical modelling of halo-doped surrounding gate MOSFETs被引量：1: 2008年; Halo structure is added to sub-100 nm surrounding-gate metal-oxide-semiconductor field- effect-transistors (MOS-FETs) to suppress short channel effect. This paper develops the analytical surface potential and threshold voltage models based on the solution of Poisson's equation in fully depleted condition for symmetric halo-doped cylindrical surrounding gate MOSFETs. The performance of the halo-doped device is studied and the validity of the analytical models is verified by comparing the analytical results with the simulated data by three dimensional numerical device simulator Davinci. It shows that the halo doping profile exhibits better performance in suppressing threshold voltage roll-off and drain-induced barrier lowering, and increasing carrier transport efficiency. The derived analytical models are in good agreement with Davinci.; 李尊朝; 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 MOSFET

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国家自然科学基金(10771168)

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