国防基础科研计划(A3120061156)
- 作品数：10 被引量：50H指数：4
- 相关作者：徐光亮宋春军罗庆平刘桂香熊昆更多>>
- 相关机构：西南科技大学中国科学院更多>>
- 发文基金：国防基础科研计划四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电气工程更多>>
- SiC复相陶瓷的强化增韧趋势被引量：9
- 2008年
- SiC陶瓷因其具有优良的性能而广泛应用于军事和民用领域。但陶瓷固有的脆性严重影响了其作为结构材料的应用潜力,因此SiC陶瓷的强化增韧成为了近年来研究的热点。综述了SiC基复相陶瓷的几种主要强化增韧方式,讨论了其强化增韧机制。采用纳米颗粒、晶须协同强化增韧和特殊技术制备纳米复相陶瓷将是提高SiC基陶瓷性能的有效途径。
- 熊昆徐光亮李冬梅
- 关键词：碳化硅陶瓷基复合材料协同增韧晶须碳纳米管
- Cu含量对Ni-Cu-Zn铁氧体烧结体微观结构和性能的影响
- 2007年
- 采用微波水热法制备了一系列的Ni0.5-XCuxZn0.50Fe2O4(x=0．05,0．10,0．15,0．20)铁氧体粉末,并用该纳米粉在910℃／4 h下,低温烧结形成了致密的陶瓷体。用XRD、SEM对烧结体的相结构和显微结构进行了研究,采用M155振动样品磁强计测试了烧结体的饱和磁化强度。研究表明,当Cu含量在0．05～0．20的范围内,Cu2+通过占据不同的离子空位,影响晶胞参数的大小;随着Cu含量的增加,烧结体的密度、晶粒尺寸、饱和磁化强度都有增长的趋势。
- 郑亚林徐光亮赖振宇
- 关键词：微波水热法晶胞参数饱和磁化强度
- 室温固相合成掺杂ZnO纳米粉体制备ZnO压敏电阻被引量：3
- 2006年
- 以金属离子盐和草酸为原料,采用室温固相化学反应合成掺杂ZnO前驱物,根据DSC-TG分析结果,将其在450℃热分解2 h,得到掺杂ZnO粉体,并用此粉体制备了片式ZnO压敏电阻。借助XRD、TEM、BET等检测手段对粉体产物的物相、形貌、粒度等进行了表征。研究了烧结温度对ZnO压敏电阻电性能的影响。结果表明,所制备的粉体为平均粒径24 nm左右、颗粒呈球状、分散性好的纤锌矿结构掺杂ZnO。在1 080℃烧结时,ZnO压敏电阻的综合电性能达到最佳,电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数为24.36,漏电流为43μA。
- 刘桂香徐光亮罗庆平
- 关键词：室温固相反应压敏电阻
- 不同方法合成掺杂ZnO粉体制备ZnO压敏电阻被引量：4
- 2007年
- 分别采用低温固相化学法和共沉淀法合成掺杂ZnO粉体,并用这两种粉体在不同温度下烧结制备了ZnO压敏电阻。借助XRD、SEM、TEM、BET等检测手段对粉体产物的性能进行了表征,采用XRD、SEM等手段对ZnO压敏陶瓷的物相、结构进行了分析,并对两种方法制备的粉体及压敏电阻的性能进行了比较研究。结果表明:采用低温固相化学法合成的粉体平均粒径为23.95 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 080℃,其电位梯度为791.64 V/mm,非线性系数是24.36;采用共沉淀法合成的粉体平均粒径为188 nm,用其制备ZnO压敏电阻的最佳烧结温度是1 130℃,其电位梯度为330.99 V/mm、非线性系数是19.70,低温固相化学法制备的ZnO压敏电阻性能优于共沉淀法制备的ZnO压敏电阻。
- 刘桂香徐光亮罗庆平
- 关键词：共沉淀法压敏电阻
- Mn对Ni-Cu-Zn铁氧体性能的影响研究
- 2007年
- 采用微波水热法制备(Ni0.30Cu0.20Zn0.50)Fe2O4.xMnO(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04)粉末,压制成型,在900℃下,烧结4 h形成了致密的陶瓷体。研究了Mn对铁氧体的相结构、显微结构和电磁性能的影响。结果表明:掺Mn可影响Ni-Cu-Zn铁氧体的晶胞参数,有利于提高烧结密度,改善微观结构和电磁性能。
- 徐光亮郑亚林赖振宇
- 关键词：MN烧结性能磁性能
- 纳米碳化硅基复相陶瓷的分散和烧结技术研究进展被引量：3
- 2006年
- 碳化硅陶瓷是一种高性能的陶瓷,具有高强度、高硬度、耐高温、耐化学腐蚀、高热导率、低热膨胀以及低密度等性能,广泛应用于各个工业领域以及航空航天领域。从纳米复相陶瓷制备过程中的分散方法以及碳化硅基陶瓷的烧结方法与烧结助剂等方面详细论述了目前有关碳化硅基纳米复相陶瓷的研究进展。
- 宋春军徐光亮
- 关键词：碳化硅晶须纳米复相陶瓷
- 超高压成型与无压烧结制备细晶碳化硅陶瓷被引量：7
- 2008年
- 借助两面顶超高压设备,通过冷等静压和超高压成型制备了相对致密度>60%的SiC陶瓷生体。在低压流动氮气保护下,无压烧结获得了晶粒尺寸在200nm左右的高致密的SiC陶瓷。利用扫描电镜、X射线衍射对烧结体的断面形貌和相组分进行分析。结果表明:超高压处理能够提高坯体及烧结体的致密度,并有助于抑制晶粒的长大。添加12%烧结助剂[Al2O3(平均粒度约为80nm)和Y2O3(平均粒度约为50nm)],经4.5GPa,6min超高压成型的SiC样品,在1850℃或1900℃烧结0.5h后的相对密度分别达到95.3%和98.3%。这种样品的烧结致密化机制为Y3Al5O12液相烧结。
- 徐光亮宋春军曹林洪熊昆
- 关键词：碳化硅无压烧结
- 碳化硅晶须的分散稳定性被引量：4
- 2008年
- 以蒸馏水、乙醇与乙二醇的混合液为分散介质,聚乙烯亚胺(polyethylene imine,PEI)、非离子型聚丙烯酰胺(nonionic polyacry lamide,PAM)为分散剂,对碳化硅晶须(SiCw)悬浮液的均匀稳定分散性进行研究。结果表明:以75%(体积分数)乙二醇与25%(体积分数)无水乙醇的混合液为分散介质,分散效果最佳;添加1.5%(质量分数)PEI时,SiCw能在pH=4～10的范围内实现均匀稳定分散,添加0.1%～0.3%(质量分数)PAM时,仅在pH=8～10,能实现SiCw均匀稳定分散。
- 熊昆徐光亮李松涛宋春军
- 关键词：碳化硅晶须
- 碳化硅纳米粉体的合成、分散与烧结工艺技术研究进展被引量：4
- 2009年
- 碳化硅陶瓷具有高强度、高硬度、高耐磨性等优异的机械性能以及耐化学腐蚀等,已广泛应用于各个工业领域以及航空航天领域.本文从纳米碳化硅粉体的合成、分散方法以及碳化硅基陶瓷的烧结方法与烧结助剂等方面综合评述了目前有关碳化硅纳米复相陶瓷的研究进展.
- 宋春军徐光亮
- 关键词：微波辐射开环聚合D,L-丙交酯聚乳酸环境友好材料
- 自蔓延燃烧法合成ZnO粉体及其压敏电阻的制备被引量：17
- 2006年
- 以硝酸锌、尿素以及其它添加剂为原料,通过自蔓延燃烧法一次性合成了ZnO压敏电阻用掺杂纳米粉体。用X射线衍射、扫描电镜、比表面测试、激光粒度分析等手段对所制备粉体的性能进行了表征。研究了反应物质量比对粉体性能的影响,以及煅烧温度对ZnO压敏电阻电性能的影响,并对自蔓延燃烧合成反应进行了初步探讨。结果表明:在点火温度为600℃,尿素/金属离子盐质量比为1:1时,所制备的掺杂纳米ZnO粉体的综合性能最好。用此粉体制备的ZnO压敏电阻的电性能最佳,电位梯度为745.27V/mm,非线性系数为56.53,漏电流为6μA。
- 刘桂香徐光亮罗庆平
- 关键词：压敏电阻
