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国家自然科学基金(90407006)

作品数:17 被引量:49H指数:3
相关作者:王志华池保勇姚金科王自强陈弘毅更多>>
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文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 18篇电子电信

主题

  • 12篇CMOS
  • 6篇增益
  • 5篇放大器
  • 3篇低功耗
  • 3篇噪声
  • 3篇增益放大
  • 3篇增益放大器
  • 3篇振荡器
  • 3篇射频
  • 3篇接收机
  • 3篇可变增益
  • 3篇可变增益放大...
  • 3篇功耗
  • 3篇CMOS工艺
  • 2篇调制
  • 2篇压控
  • 2篇压控振荡器
  • 2篇英文
  • 2篇增益控制
  • 2篇频率合成器

机构

  • 16篇清华大学

作者

  • 15篇王志华
  • 14篇池保勇
  • 6篇姚金科
  • 5篇王自强
  • 3篇陈弘毅
  • 2篇张春
  • 2篇朱晓雷
  • 2篇李福乐
  • 2篇张利
  • 1篇林敏
  • 1篇石秉学
  • 1篇李永明
  • 1篇王敬超
  • 1篇刘璐
  • 1篇李冬梅
  • 1篇黄水龙
  • 1篇刘瑞峰
  • 1篇吴恩德
  • 1篇段静波
  • 1篇韩书光

传媒

  • 10篇Journa...
  • 3篇电子学报
  • 3篇微电子学
  • 1篇清华大学学报...

年份

  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 8篇2006
  • 6篇2005
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
A fractional-N frequency synthesizer for WCDMA/Bluetooth/ZigBee applications被引量:1
2009年
A triple-mode fractional-N frequency synthesizer with a noise-filter voltage controlled oscillator(VCO) for WCDMA/Bluetooth/ZigBee applications has been implemented in 0.18-μm RF-CMOS technology.The proposed synthesizer achieves a good phase noise lower than-80 dBc/Hz in band and-115 dBc/Hz @ 1 MHz for the three modes, and only draws 21 mA from a 1.8 V supply.It has a high hardware sharing and a small size, only 1.5 × 1.4 mm2.The system architecture, circuit design, and measured results are also presented.
周春元李国林张春池保勇李冬梅王志华
关键词:ZIGBEE频率合成器WCDMA噪声控制CMOS
2.4GHz零中频接收机中正交相位的自校准设计(英文)被引量:1
2006年
提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μmCMOS工艺实现.测试结果显示正交相位误差可以被校准到1°以内,满足了系统的要求.
刘瑞峰李永明陈弘毅王志华
关键词:零中频接收机CMOS工艺
一个高线性13位流水线CMOS A/D转换器(英文)被引量:2
2008年
介绍了一个采用多种电路设计技术来实现高线性13位流水线A/D转换器.这些设计技术包括采用无源电容误差平均来校准电容失配误差、增益增强(gain-boosting)运放来降低有限增益误差和增益非线性、自举(bootstrapping)开关来减小开关导通电阻的非线性以及抗干扰设计来减弱来自数字供电的噪声.电路采用0.18μm CMOS工艺实现,包括焊盘在内的面积为3.2mm2.在2.5MHz采样时钟和2.4MHz输入信号下测试,得到的微分非线性为-0.18/0.15LSB,积分非线性为-0.35/0.5LSB,信号与噪声加失真比(SNDR)为75.7dB,无杂散动态范围(SFDR)为90.5dBc;在5MHz采样时钟和2.4MHz输入信号下测试,得到的SNDR和SFDR分别为73.7dB和83.9dBc.所有测试均在2.7V电源下进行,对应于采样率为2.5MS/s和5MS/s的功耗(包括焊盘驱动电路)分别为21mW和34mW.
李福乐段静波王志华
关键词:高线性增益增强自举开关
使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器(英文)被引量:2
2005年
提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μmCMOS工艺实现,测试结果表明该正交振荡器的振荡频率约为1.13GHz,在偏离振荡频率1MHz处的相位噪声约为-130dBc/Hz.该振荡器采用2.5V电源电压,消耗的电流约为8.0mA.
池保勇朱晓雷王自强王志华
关键词:振荡器射频CMOS相位噪声
应用于IEEE802.11b无线局域网系统的2.4GHzCMOS单片收发机射频前端(英文)被引量:1
2005年
实现了一个应用于IEEE802.11b无线局域网系统的2.4GHzCMOS单片收发机射频前端,它的接收机和发射机都采用了性能优良的超外差结构.该射频前端由五个模块组成:低噪声放大器、下变频器、上变频器、末前级和LO缓冲器.除了下变频器的输出采用了开漏级输出外,各模块的输入、输出端都在片匹配到50Ω.该射频前端已经采用0.18μmCMOS工艺实现.当低噪声放大器和下变频器直接级联时,测量到的噪声系数约为5.2dB,功率增益为12.5dB,输入1dB压缩点约为-18dBm,输入三阶交调点约为-7dBm.当上变频器和末前级直接级联时,测量到的噪声系数约为12.4dB,功率增益约为23.8dB,输出1dB压缩点约为1.5dBm,输出三阶交调点约为16dBm.接收机射频前端和发射机射频前端都采用1.8V电源,消耗的电流分别为13.6和27.6mA.
池保勇石秉学王志华
关键词:无线收发机射频
使用三位三阶Δ∑调制器的集成1GHz小数频率合成器被引量:2
2005年
本文实现了一个采用三位三阶Δ∑调制器的高频谱纯度集成小数频率合成器.该频率合成器采用了模拟调谐和数字调谐组合技术来提高相位噪声性能,优化的电源组合可以避免各个模块之间的相互干扰,并且提高鉴频鉴相器的线性度和提高振荡器的调谐范围.通过采用尾电流源滤波技术和减小振荡器的调谐系数,在片压控振荡器具有很低的相位噪声,而通过采用开关电容阵列,该压控振荡器达到了大约100MHz的调谐范围,该开关电容阵列由在片数字调谐系统进行控制.该频率合成器已经采用0.18μmCMOS工艺实现,仿真结果表明,该频率频率合成器的环路带宽约为14kHz,最大带内相位噪声约为-106dBc/Hz;在偏离载波频率100kHz处的相位噪声小于-120dBc/Hz,具有很高的频谱纯度.该频率合成器还具有很快的反应速度,其锁定时间约为160μs.
池保勇朱晓雷黄水龙王志华
关键词:△∑调制器频率合成器压控振荡器锁相环
CMOS可变增益放大器设计概述被引量:23
2005年
可变增益放大器是模拟单元电路之一,起着变化增益、调整信号动态范围、稳定信号功率的作用。文章综述了CMOS集成可变增益放大器的研究情况;给出了可变增益放大器的定义、应用、分类和主要指标,描述了多种开环和闭环放大器的结构,分析了相应的增益控制方法及其优缺点;说明了在CMOS工艺下实现放大器增益按指数变化的几种途径。最后,介绍了用于无线数字通信,具有宽带、高线性、低电源电压等高性能可变增益放大器的设计实例。
王自强池保勇王志华
关键词:放大器可变增益放大器可编程增益放大器
L波段数字声广播接收机CMOS集成模拟前端被引量:1
2005年
本文设计了使用CMOS工艺 ,单片集成的L波段数字声广播 (DAB)接收机模拟前端 .接收机前端应用了三种方法来提高镜像抑制度 :低中频双正交weaver结构比一般的同相 /正交 (I/Q)两路下变频结构具有更高的镜像抑制能力 ;镜像抑制低噪声放大器 (LNA)提供了额外的镜像信号抑制 ;具有相位和幅度校正功能的本振驱动器提供了更精确的正交本振信号 .仿真显示接收机前端对镜像信号的抑制超过 6 5dB ,其级联噪声指数为 4dB ,输出三阶交调指数为 2 2dBm .接收机前端使用TSMC 0 .2 5 μmCMOS工艺制作 ,版图核心面积为 9mm2 ,目前正在测试中 .
王自强池保勇林敏韩书光刘璐姚金科王志华
关键词:接收机前端低中频镜像抑制
2GHz低功耗差分控制的CMOS单片LC压控振荡器(英文)被引量:1
2006年
设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μmCMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998~2.2335GHz).在2.158GHz工作频率下,在1MHz频偏处的相位噪声为-118.17dBc/Hz.应用给出的开关设计,相位噪声在不同的数字位控制下变化不超过3dB.由于利用pn结二级管作为变容管,在调频范围内,相位噪声仅改变约2dB.压控振荡器在1.8V电源电压下消耗2.1mA电流并能够在1.5V电源电压下正常工作.
张利池保勇姚金科王志华陈弘毅
关键词:相位噪声压控振荡器
CMOS功率放大器在射频识别技术中的应用概述被引量:2
2006年
针对国内外射频识别技术的迅猛发展,结合射频识别技术的应用背景,阐述了读写器中最大的耗能器件—功率放大器的研究现状;指出CMOS工艺应用于功率放大器设计的局限性和可行性;最后,探讨了将CMOS功率放大器应用于射频识别技术的主要研究方向。
高同强池保勇王敬超马长明张春王志华
关键词:功率放大器射频识别技术CMOS工艺
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