国家重点基础研究发展计划(20000683-02)
- 作品数：16 被引量：39H指数：4
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- 新型大功率双波长半导体激光器的研制
- 2005年
- 提出了一种新结构半导体双波长激光器 ,即用隧道结把两个发射不同波长的激光器结构通过外延生长的方法连接起来。通过计算和设计 ,制备了性能良好的大功率激射的双波长半导体激光器。双波长器件的实际激射波长分别为 95 1 nm和 987nm,为基模激射。器件在 5 3 0 m A直流工作时输出功率达到 5 0 0 m W,斜率效率为1 .3 3 W/A。在 2 A电流时功率达 2 .4W,斜率效率为 1 .3 8W/A;3 A电流时功率达 3 .1 W,斜率效率为 1 .2 1 W/A。
- 郭伟玲田咏桃李建军马丽娜鲁鹏程王婷邹德恕沈光地
- 关键词：大功率半导体激光器双波长隧道结
- 激光剥离技术中GaN材料温度场的研究
- 2005年
- 对使用脉冲激光实现GaN/Sapphire剥离技术,建立了激光剥离过程中GaN外延层一维热传导理论模型。计算分析了单脉冲辐照时,激光剥离过程中GaN外延层内的温度场分布。得到实现激光剥离阈值能量密度为400mJ/cm2,脉冲频率上限约为1400Hz,阈值条件下剥离过程中高温区分布限制在100nm以内。从而证明GaN基发光二极管(LED)外延结构无损伤激光剥离的可行性,并且为激光剥离技术参数的选取提供了理论依据。
- 王婷郭霞郭伟玲牛南辉沈光地
- 关键词：温度场脉冲激光GAN
- InGaN/GaN多量子阱蓝光LED电学特性研究被引量：9
- 2006年
- 对不同温度（120～363K）下InGaN／GaN多量子阱（MQW）结构蓝光发光二极管（LED）的电学特性进行了测试与深入的研究。发现对数坐标下I—V特性曲线斜率随温度变化不大。分别用载流子扩散-复合模型和隧道复合模型对其进行计算，发现室温下其理想因子远大于2，并且随着温度的下降而升高；而隧穿能量参数随温度变化不大。这说明传统的扩散一复合栽流子输运模型不再适用于InGaN／GaNMQW蓝光LED。分析指出由于晶格失配以及生长工艺的制约，外延层中具有较高的缺陷密度和界面能级密度，导致其主要输运机制为栽流子的隧穿。
- 刘诗文郭霞艾伟伟宋颖娉顾晓玲张蕾沈光地
- 关键词：氮化镓蓝光发光二极管
- 半导体激光器结温测试研究被引量：6
- 2007年
- 提出了一种测试结温的简便易行的新方法,用此方法能够较准确地测量出激光器在直流工作时的结温。通过改变环境温度得到激光器正向电压的温度系数dVf/dT,再改变电流应力测得正向电压随电流的变化率dVf/dI。其中,由理论计算得到dVf/dT推出的温度随电流的变化率ΔT/ΔI为31.9℃/A,由实验得到dVf/dT推出的ΔT/ΔI为37.2℃/A。把这两者和常规的波长漂移法得到的结果ΔT/ΔI≈29.7℃/A进行比较,结果基本一致,从而证明了新方法的可行性。
- 罗丹郭伟玲徐晨舒雄文沈光地
- 关键词：半导体激光器结温温度系数
- 基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究被引量：2
- 2005年
- 用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。采用波长248 nm的KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,实验结果与有限元数值模拟结果一致。分析了影响GaN材料温度场分布的因素,在激光光源一定的条件下,温度随时间和深度变化较快。在实现激光剥离时,脉冲激光的能量密度应不低于阈值条件,但为了避免温度过高对器件产生损伤,脉冲激光的能量密度存在上限。多脉冲激光辐照时,脉冲频率是另一关键参量,计算得到了不同能量密度的脉冲激光辐照时频率的选取范围。
- 王婷郭霞刘斌牛南辉郭伟玲沈光地
- 关键词：光电子学激光剥离温度场有限元GAN材料
- GaN基LED电流扩展对其器件特性的影响
- 2006年
- GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性。
- 孙重清邹德恕顾晓玲张剑铭董立闽宋颖娉郭霞高国沈光地
- 关键词：光电子学固态照明电流扩展
- 激光剥离Al_2O_3/GaN中GaN材料温度场的模拟被引量：2
- 2006年
- 对激光剥离Al2O3/GaN技术,建立了紫外脉冲激光辐照过程中GaN外延层内热传导理论模型。计算分析了不同能量密度脉冲激光辐照时,GaN外延层内的温度场分布,由此得到激光剥离的阈值条件。采用紫外KrF准分子激光器对Al2O3/GaN样品进行激光剥离实验,样品表面显微镜和端面扫描电镜(SEM)测试照片说明,计算结果与实验现象相符。进一步分析表明,脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数,适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制在100nm以内,实现高效低损伤激光剥离。
- 王婷郭霞刘斌沈光地
- 关键词：温度场激光剥离脉冲激光GAN
- 808nm半导体激光器腔面硫钝化工艺研究被引量：6
- 2006年
- 对808 nm大功率半导体激光器腔面硫钝化处理的工艺进行了研究,发现腔面硫钝化可以提高激光器的输出特性以及其可靠性,输出功率提高了16.7%;经过1 500 h老化实验后,硫钝化的半导体激光器没有明显退化,而未处理的激光器退化严重,输出功率降低了36.8%。实验表明,硫钝化时间对激光器钝化效果有很大影响,激光器腔面硫钝化时间过长会造成其损伤,使其可靠性反而下降;硫钝化5 m in效果为最佳。
- 田增霞崔碧峰徐晨舒雄文张蕾沈光地
- 关键词：半导体激光器腔面硫钝化可靠性
- 高亮度LED中ODR反光镜反射率温度特性研究
- 2008年
- 对Al/SiO2、Al/ITO、Au/SiO2、Au/ITO构成的ODR(Omni-directional reflector)结构,对应400～800 nm的不同波长,在不同温度下,对于反光镜的反射率的影响,进行了研究。提出了在460 nm的蓝光波段,Al/SiO2合金温度在500～700 K时,反射率会达到最小值,温度在700 K以上时,又到常温值,且略微增加;Al/ITO反射率是随着温度变化单调下降的,因此要在Al反光镜的表面采用Ti/Al/Ti/Au的结构,改善反光镜的特性;620 nm的红光波段,Au/SiO2和Au/ITO的合金温度在700 K时,具有最理想的反射率,且Au/SiO2结构的反射效果要优于Au/ITO结构。用实验的方式进行了验证,分析了可能造成反射率变化的原因。
- 宋欣原邹德恕张剑铭刘思南沈光地
- 关键词：退火反射率
- LD条宽对激射波长影响的研究
- 2007年
- 报道了LD激射波长会随条宽发生明显变化。对有相同外延生长结构和制作工艺、不同条宽的960nmLD的激射波长进行研究发现,条宽为130、100、75和50μm的器件的激射波长依次变短。进一步分析认为,这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的。根据GaAs材料在不同注入载流子密度下的增益谱及器件条宽变化对阈值载流子密度的影响,可以对实验现象进行合理的解释,从而在器件研制中可通过改变条宽对器件的激射波长在一定范围内进行调节。
- 罗丹徐晨郭伟玲舒雄文田增霞沈光地
- 关键词：激射波长LD阈值电流密度
