教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0329)
- 作品数：9 被引量：42H指数：4
- 相关作者：吕文中王晓川梁飞雷文梁军更多>>
- 相关机构：华中科技大学国家电网公司更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”中国博士后科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻性能影响被引量：7
- 2010年
- 研究了铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻微观结构和非线性特性的影响.由SEM结果可知:在900℃烧结时,低熔点铋硼玻璃通过液相烧结机制能够促进氧化锌晶粒生长和提高晶粒分布的均匀性;然而,未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了氧化锌压敏陶瓷晶粒的生长.当铋硼玻璃掺杂量为2wt%时,可以得到最佳非线性特性:电位梯度E_(1mA)=124.9V/mm,非线性系数a=46.2,漏电流密度J_L=0.2μA/cm^2.对铋硼玻璃掺杂压敏电阻来说,其晶粒生长动力学指数和激活能Q要远小于锌硼玻璃掺杂压敏电阻,仅为n≈2.15和146.2 kJ/mol.以上分析表明:与锌硼玻璃相比,铋硼玻璃能够更有效的促进氧化锌晶粒生长,改善ZnO-Bi_2O_3-TiO_2系压敏电阻的微观结构,提高非线性特性.
- 万帅吕文中
- 关键词：压敏电阻电性能
- 弯折线天线原理、结构及其研究进展被引量：5
- 2010年
- 弯折线技术作为一种减小天线尺寸和实现宽频带的有效手段,在现代天线设计中被广泛使用。根据不同的技术要求,研究者们提出了多种改进结构。文中介绍了6种具有代表性的弯折线天线结构,其中包括双弯折线天线、折叠式弯折线天线、立体式弯折线天线、渐变式弯折线天线、行波弯折线天线和弯折线缝隙天线。同时也对上述6种天线的工作原理以及研究进展进行了简要的阐述。
- 王晓川吕文中梁飞雷文
- 关键词：输入阻抗宽带特性
- 基于WLAN应用的非均匀弯折线单极子天线被引量：1
- 2010年
- 通过时域有限差分法,研究了非均匀弯折线单极子天线各弯折节的线宽和线长对天线谐振特性的影响,并对背面耦合贴片的作用进行了分析。结果表明,弯折节的线宽和线长对天线的谐振特性有较强的调节作用;适当改变各弯折节的线宽和线长可以有效地调节天线两个最低谐振频率的相对位置;耦合贴片可以在不影响第一谐振模式的基础上,有效地改善第二谐振模式的谐振特性,增加天线第二谐振模式的阻抗带宽。最后制备出一种背面带有耦合贴片的非均匀弯折线单极子天线,该天线的频带能够有效覆盖IEEE 802.11b/g（2.4-2.484 GHz）和IEEE 802.11a（5.15-5.35 GHz,5.725-5.825 GHz）三个频段,能够满足WLAN应用。
- 王晓川吕文中梁飞万帅
- 关键词：单极子天线三频无线局域网
- 锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻电性能及晶粒生长动力学研究被引量：3
- 2010年
- 研究了锌硼玻璃掺杂量对低压ZnO压敏电阻微观结构和电性能的影响.结果表明,当掺杂量x=0.1wt%时,可以得到较好综合性能的ZnO压敏电阻:E1mA=36.7V/mm,α=30.4,IL=0.1μA.并应用晶粒生长动力学唯象理论研究了锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻的晶粒生长规律,探讨了锌硼玻璃掺杂对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长的作用机理.当烧结温度T≤1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈4.54,激活能Q≈316.5kJ/mol,这是由于未熔融的锌硼玻璃通过颗粒阻滞机理阻碍了ZnO压敏陶瓷晶粒的生长;而当T>1000℃时,其晶粒生长动力学指数n≈2.92,激活能Q=187kJ/mol,这是由于熔融的锌硼玻璃通过液相烧结机理促进了晶粒的生长.
- 万帅吕文中
- 关键词：压敏电阻电性能激活能
- CaTiO_3对(1-x)ZnAl_2O_4-xMg_2TiO_4(x=0.21)微波介质陶瓷结构和性能的影响被引量：5
- 2009年
- 利用常规固相法制备了ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷,研究了CaTiO3对其相成分、微观组织结构和微波介电性能的影响规律.结果表明,CaTiO3能有效地改善(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)材料的烧结性能,使其致密化温度降低150℃.ZnAl2O4-Mg2TiO4-CaTiO3陶瓷体系中包括ZnAl2O4基尖晶石相、CaTiO3、MgTi2O5和Zn2Ti3O8相,当烧结温度高于1400℃时,Zn2Ti3O8相消失.随着CaTiO3含量的增加,体系中CaTiO3相含量增加而MgTi2O5相含量减少,且CaTiO3具有显著地调节谐振频率温度系数的作用.当在(1-x)ZnAl2O4-xMg2TiO4(x=0.21)体系中掺入6mol%的CaTiO3添加剂时,经1400℃烧结后能获得温度稳定性好的微波介质陶瓷材料,其微波介电性能为:εr=11.8,Q.f=88080GHz,τf=-7.8×10-6/℃.
- 雷文吕文中王晓川梁军江建军
- 关键词：尖晶石结构微波介电性能温度稳定性
- 低温共烧微波介质陶瓷材料研究进展被引量：19
- 2009年
- 在介绍低温共烧陶瓷(LTCC)技术的基础上,阐述了LTCC微波介质陶瓷材料的特点及应用背景。综述了BaTi4O9、Ca[(Li1/3Nb2/3)1-xTix]O3-δ、ZnNb2O6、ZnTiO3及Li2O-Nb2O5-TiO2等常用的LTCC微波介质陶瓷材料体系。指出了目前研究中存在的问题,指出新体系的开发是今后的主要研究方向。新体系可以采用多相复合,也可以由几种低熔点氧化物化合而产生。
- 梁军梁飞吕文中
- 关键词：无机非金属材料微波介质陶瓷低温共烧陶瓷介电性能
- (K_(0.5)Na_(0.5))_(1-2x)Sr_x(Nb_(0.94)Sb_(0.06))O_3无铅压电陶瓷结构及性能研究被引量：2
- 2009年
- 以传统电子陶瓷工艺制备了（K0.5Na0.5）1-2xSrx（Nb0.94Sb0.06）O3无铅压电陶瓷,研究了适量锶、锑取代对陶瓷结构及电性能的影响.结果表明,少量的锶、锑取代没有改变（K0.5Na0.5）NbO3陶瓷的相结构,仍为单相正交结构的钙钛矿型铁电体;适量的锶取代使得晶粒大小均匀一致,提高了陶瓷的致密度;锶、锑取代降低了陶瓷的居里温度,但对正交-四方相变温度的影响不大,且在0~200℃的温度范围,介电常数几乎不依赖频率的变化而变化;在x=0.008处,得到较好综合性能的陶瓷材料：d33=155pC/N,kp=0.361,Qm=120,Np=2862,Pr=23μC/cm2,Ec=1.4kV/mm,ρ=4.411g/cm3.
- 范桂芬吕文中饶源源
- 关键词：无铅压电陶瓷铌酸钾钠压电性能
- 非均匀弯折线单极子天线的设计与制备
- 2010年
- 通过时域有限差分法,研究了由矩形非均匀弯折线构成的单极子天线的谐振特性,分析了非均匀弯折线各弯折节线长、线宽和线间距对天线双频性能的影响.结果表明,弯折节的线长和线宽对天线的第1谐振频率和第2谐振频率有较强的调节作用.通过引入非均匀结构,适当改变各弯折节的线宽和线长可以有效的调节天线2个最低谐振频率的相对位置.文章最后制备出一种双频非均匀弯折线单极子天线,该天线频带能够有效覆盖IEEE802.11b/g(2.4～2.484GHz),802.11a(5.15～5.35GHz,5.725～5.825GHz)2个频段,能够满足WLAN应用.该双频天线的设计方法还可以用在其他双频天线的设计中.
- 王晓川吕文中梁飞雷文
- 关键词：单极子天线共面波导双频无线局域网时域有限差分法
- ZnO压敏陶瓷的PVA系水基流延成型工艺及其性能
- 2012年
- 采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。
- 万帅吕文中付振晓王晓川
- 关键词：ZNO压敏电阻PVA水基流延电性能
