天津市自然科学基金(023801611)
- 作品数：4 被引量：21H指数：2
- 相关作者：李娟刘技文李延辉许京军李昌龄更多>>
- 相关机构：天津理工大学南开大学天津理工学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- SiC纳米晶薄膜的制备及发光性质研究被引量：13
- 2005年
- 用射频磁控溅射及后退火(800 ℃、1 000 ℃和1 200 ℃)方法,在Si(111)衬底上制备出了 SiC纳米晶(nc SiC)薄膜。傅立叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)形貌像等研究表明,制备出的nc SiC薄膜具有立方结构;样品经 800 ℃、1 000 ℃退火后,表面的纳米晶粒分别为10 nm和20 nm左右;而1 200 ℃退火后,样品晶化完全。光致发光(PL)研究表明,nc SiC薄膜室温条件下发射蓝光,发光峰峰位随退火温度的降低发生蓝移且发光峰强度变大;1 000 ℃退火后样品的发光峰在478 nm,800 ℃退火后发光峰在477 nm,800 ℃退火比1 000 ℃退火的样品发光强度高4倍。
- 刘技文李娟赵燕平李延辉李昌龄许京军
- 关键词：SIC射频磁控溅射退火纳米晶薄膜光致发光PL
- 射频磁控溅射工艺参数对SiC薄膜发光性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用射频磁控溅射和后退火的方法在单晶Si(111)衬底上制备了SiC薄膜。采用红外吸收谱仪(FTIR)和X射线光电子谱仪(XPS)分析了薄膜的结构。采用分光光度计测量了SiC薄膜的发光性能。发现衬底加负偏压、适当增大溅射功率、降低工作气压均可以抑制SiO2和无定形碳的出现,有利于β-SiC的形成,同时增加SiC薄膜光致发光(PL)强度。
- 刘技文李娟许京军
- 关键词：SIC薄膜磁控溅射工艺参数光致发光
- 基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径被引量：2
- 2005年
- 掺铒硅基发光材料可以用于制备光通信用光源、光纤放大器,更重要的是可能成为实现硅基光电子集成技术的重要途径,已成为研究的热点之一.文章讨论了掺铒硅及掺铒硅基材料的发光机理,指出了制约实用化方面存在的问题.从不同方面着重探讨了共掺氧对提高掺铒硅发光效率的作用.最后介绍了基于掺铒硅发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几种途径、目前存在的主要问题及研究进展.
- 李延辉刘技文赵燕平李昌龄李娟
- 关键词：发光效率硅基材料发光机理硅基发光材料掺铒硅实用化
- 溅射技术在制备SiC薄膜中的应用被引量：6
- 2004年
- 近20年以来,薄膜科学得到迅速发展,不仅得益于薄膜材料可能具有力、热、光、电、磁、仿生或化学等各种特性,可以使器件小型化,而且也得益于各种薄膜制备手段的进步.其中,溅射技术已成为几种重要的制备薄膜的手段之一.广泛应用于制备超硬涂层、耐磨涂层、耐腐蚀涂层以及具有电学、光学、半导体等性质的薄膜,SiC薄膜就是其中很有发展前景的一种.本文将介绍溅射原理、薄膜制备技术,着重介绍溅射法在制备SiC薄膜中的应用和前景展望.
- 李娟刘技文王玉红孙永昌
- 关键词：SIC薄膜半导体薄膜射频溅射反应溅射
