国家自然科学基金(60271021)
- 作品数：5 被引量：29H指数：3
- 相关作者：汪小红吕文中刘坚周雁翎周东祥更多>>
- 相关机构：华中科技大学中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 用于相控阵雷达的新型铁电移相器被引量：3
- 2007年
- 研制了一种用于相控阵雷达的新型铁电体陶瓷移相器．利用四级阻抗匹配技术有效解决了铁电体陶瓷移相器中高低介电常数材料间的匹配问题，设计出了移相器的整体结构．研制出了BST基铁电体陶瓷材料，其介电性能的静态介电常数为98-100（3．2GHz）、高频损耗为0．0047（3．2GHz）、调谐率约为15％（E=5kV／mm）．利用上述材料实现了铁电移相器的制备．实验结果表明：当外加偏置电压为12kV时，该移相器可实现360°相移，在10％带宽内驻波比小于1．35，移相器损耗小于3．5dB，功耗小于0．4W．
- 周雁翎钱林吕文中汪小红
- 关键词：相控阵天线
- MgO对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3铁电陶瓷材料结构及低频特性的影响被引量：18
- 2004年
- 研究了添加MgO的Ba0.6Sr0.4TiO3(BSTO)可调谐微波器件用铁电陶瓷材料的结构和低频下的介电性能。结果发现:随着MgO添加量的增加,BSTO材料的相对介电常数大幅度下降,材料的密度和可调性也随之降低。SEM和XRD结果表明:随MgO添加量的增加,材料晶粒尺寸减小,体系的晶胞参数略有下降,MgO在BSTO中以独立相的形式存在。制备出了相对介电常数较低(εr=181),介质损耗达4.7×10-3(在频率为10kHz时),可调性为10.26%(电场为2.2kV/mm)的适用于制作移相器的BSTO铁电陶瓷材料。
- 汪小红吕文中刘坚梁飞周东祥
- 关键词：钛酸锶钡铁电体
- La_2O_3掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3-MgO介电性能的影响被引量：8
- 2004年
- 在钛酸锶钡与质量分数为 6 0 %的MgO混合的基础上 ,进行了La2 O3 掺杂的系统研究 .随La2 O3 掺入量的增加 ,BST MgO材料的晶面间距先变大后变小 .掺杂适量的La2 O3 可降低BST MgO复合材料高频损耗 ,同时保证适中的介电常数 ,但过量的La2 O3 掺杂使得材料的介电常数降得很低 .当La2 O3 掺杂量为w(La2 O3 ) =0 .2 %时 ,BST MgO材料的介电常数为 84 .9,损耗为 0 .0 0 6 (2 .9GHz) ,介电常数可调率达 1 4 .3% (2 9.7kV/cm) .利用电介质理论分析了La2 O3 对BST
- 吕文中刘坚周雁翎汪小红
- 关键词：钛酸锶钡氧化镧铁电材料相控阵天线
- B_2O_3掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/MgO陶瓷介电性能的影响被引量：3
- 2006年
- 采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。
- 杨涛吕文中汪小红
- 关键词：无机非金属材料钛酸锶钡氧化硼铁电材料相控阵天线
- BSTO移相器材料结构与温度特性的研究被引量：2
- 2006年
- 为了改进BSTO/MgO系铁电移相材料的电学性能,研究了在同等掺杂条件下,调节Ba1–xSrxTiO3中各成分的配比,即改变x的取值对材料结构及温度特性的影响。实验表明:当x=0.45时,BSTO/MgO系统在10kHz下,εr=84.45;tanδ=3.4×10–3;可调率为11.01%(5kV/mm)。3.5GHz下,εr=87.01,tanδ=4×10–3,并具有相对较好的温度稳定性,在–20^+40℃下αεr=–0.482×10–2/℃,可调率温度系数为–0.836×10–2/℃。
- 吕文中李闯汪小红
- 关键词：无机非金属材料移相器BST相控阵雷达温度稳定性
