公共文化服务平台

共 5 条记录，以下是 1-5

全选清除导出

排序方式：

不同形貌稀土掺杂Gd_2O_3粉体的制备及光磁性能研究被引量：3: 2015年; 采用水热法,利用不同添加剂:柠檬酸(CA)、油酸(OA)、乙二胺四乙酸(EDTA)制备出了不同形貌前驱物Gd(OH)3,并经退火得到不同形貌的Gd2O3样品(S-CA、S-OA、S-EDTA)。XRD图表明所制得Gd2O3粉末均为立方晶系(空间群为Ia3),并且不同添加剂所得粉晶的晶格常数略有不同:1.082 25 nm(S-CA),1.081 14 nm(S-OA),1.083 20 nm(S-EDTA);SEM图可看出其颗粒大小分别约为63 nm(S-CA),300 nm(S-OA),2μm(S-EDTA);红外光谱则进一步证明3种产物均为Gd2O3,并且不同添加剂下样品的基团振动吸收强度不一样;利用荧光光谱仪和综合物性测量系统测量研究了经不同添加剂所制备出的稀土(Yb,Er/Ho)掺杂Gd2O3的上转换发光特性及磁学性能,结果表明:样品形貌对稀土掺杂Gd2O3上转换发光强度和顺磁磁化率影响较大,其中由EDTA添加剂所制备出的稀土掺杂Gd2O3粉末的上转换发光强度和顺磁磁化率最佳。; 徐德康刘楚枫阎佳薇欧阳红群张曰理; 关键词：稀土氧化物形貌

一种适用于MCU的SDRAM控制器的实现方法被引量：4: 2003年; 介绍了同步动态存储器SDRAM的特点、操作原理,提出了一种对于MCU等微控制器有着友好接口的SDRAM控制器的实现方法,使得不带SDRAM控制器的微处理器可以方便地实现对于SDRAM的控制。; 谢时根张利王志华; 关键词：SDRAM MCU 微控制器

多频率开尔文探针力显微镜的设计: 2015年; 本文研究开尔文探针力显微镜(KPFM)中多频率方法的实现。KPFM中的多频率方法同时激发微悬臂探针的第一次和第二次的本征机械振动模式并分别用于样品形貌和表面电势成像。据此,本文设计了一种基于传统比例-积分控制器基本原理的模拟式反馈控制器,用以实现探针的调控。测试表明,该反馈控制器带宽可达约5 k Hz,并利用该反馈控制器研制出了多频率KPFM,其电势测量灵敏度优于5 m V。利用该多频率KPFM,对注入电荷后的介电薄膜样品进行测试,一次成像即可得到样品的形貌图及局域电势的二维分布图。该多频率KPFM技术可广泛应用于电子材料与器件的电特性表征。; 何万贤梁仲文丁喜冬; 关键词：多频率原子力显微镜

Cr-Fe共掺CeO_(2)纳米颗粒的结构和铁磁性能被引量：1: 2021年; 采用溶胶-凝胶法制备了Cr-Fe共掺CeO_(2)(Ce_(0.99-x)Cr_(x)Fe_(0.01)O_(2),x=0,0.01,0.02,0.03)纳米颗粒,对其结构及物相、形貌尺寸和磁学性能进行分析研究。XRD和Raman研究表明,Cr-Fe共掺CeO_(2)纳米颗粒未破坏CeO_(2)原有的立方萤石晶体结构,且样品中没有第二相出现。随着Cr掺杂浓度的增大,晶粒尺寸减小,结晶质量下降。SEM照片显示纳米颗粒呈球形,且尺寸均匀,分散性好,颗粒大小在20 nm左右。磁性测试结果表明,在磁场强度为10 kOe时,样品在低温(10 K)下的磁化强度大于室温(300 K)。所有磁性测量都表现出磁滞现象,表明样品具有低温和室温铁磁性能。随着Cr掺杂量的增加,矫顽力及在磁场强度为10 kOe时的磁化强度明显提高。结合XRD和Raman研究结果,可以认为样品的铁磁性属于Cr-Fe共掺CeO_(2)纳米颗粒的本征性能。; 阳生红蒋志洁张曰理; 关键词：铁磁性

射频磁控溅射制备Mn掺杂ZnO薄膜的结构和铁磁性能研究: 2021年; 采用射频磁控溅射法制备了Mn掺杂ZnO(Zn_(1-x)Mn_xO,其中x=0,0.03,0.06)薄膜。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、原子力显微镜(AFM)和超导量子干涉磁强计(SQUID)对薄膜结构和磁性能进行了研究。XRD和Raman研究表明,不同浓度Mn掺杂ZnO薄膜均为ZnO的六角纤锌矿结构,并沿(002)晶面择优取向,未检测到Mn以及与Mn相关的氧化物杂相。随着Mn掺杂浓度的增大,薄膜的结晶质量下降,晶粒尺寸减小。AFM研究结果与XRD和Raman结果相一致。SQUID测量表明Mn掺杂ZnO薄膜表现出室温铁磁性,Mn掺杂量x为0.03和0.06时,在1.59×10^(6)A/m磁场下的磁化强度分别为0.12和0.18 A·m^(2)/kg。随着Mn掺杂浓度的增大,磁化强度和矫顽力增大。基于XRD、Raman和AFM研究结果,可以认为Mn掺杂ZnO薄膜的铁磁性与杂相无关,属于样品的本征磁性。; 阳生红蒋志洁张曰理; 关键词：磁控溅射铁磁性

全选清除导出

共1页<1>

国家自然科学基金(61172027)