国家科技支撑计划(2011BAK16B01)
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 相关作者：王东毛启楠田力更多>>
- 相关机构：北京大学普尼太阳能(杭州)有限公司更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划国家自然科学基金国家科技支撑计划更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 溅射后硒化法制备的CIGS薄膜中Ga元素扩散研究被引量：1
- 2014年
- 溅射后硒化制备Cu(In,Ga)Se2吸收层工艺过程中,Ga元素在吸收层底部富集现象是较为普遍的.本文从预制层工艺和硒化工艺两个方面研究了Ga元素在Cu(In,Ga)Se2吸收层中扩散的影响因素.结果表明,预制层中的Cu/(In+Ga)和硒化温度对Ga元素扩散的影响较为显著,而预制层中的Ga/(In+Ga)对Ga元素扩散的影响较小,Ga元素的扩散系数制约了其在Cu(In,Ga)Se2吸收层表面的含量.通过工艺优化提高吸收层表面的Ga含量,制备获得了光电转换效率为12.42%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳能电池.
- 毛启楠张晓勇李学耕贺劲鑫于平荣王东
- 关键词：CIGS太阳能电池
- 真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响
- 2015年
- 采用溅射后硒化法制备CIGS电池吸收层,并在此基础上制备具有glass/Mo/CIGS/Cd S/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al结构的CIGS电池。实验研究了真空退火对电池性能的影响。通过优化退火条件,电池光电转换效率从4.91%提高到14.01%。进一步研究发现,退火有助于改善部分单层薄膜的性能,但是其对电池性能的提升主要来自来于:1)退火促使Cd2+扩散进入CIGS表面取代VCu,钝化浅能级缺陷的同时形成n-CIGS,使p-n结进入CIGS层内部,从而大幅减少了界面复合中心;2)退火使得CIGS表面吸附的H2O分子脱附,提高了CIGS电学和带隙均匀性,从而改善电池的均匀性,电池性能得到全面提升。
- 田力张晓勇毛启楠李学耕于平荣王东
- 关键词：退火均匀性同质结
