博士科研启动基金(Y2007100)
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 衬底对单脉冲激光烧蚀下环境密度恢复时间的影响
- 2009年
- 假定烧蚀粒子与环境气体原子均为刚性硬球,采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对单脉冲激光烧蚀产生的硅(Si)粒子在1000Pa环境氦(He)气中的传输过程进行了数值模拟,研究了衬底对环境密度恢复时间的影响。结果发现,衬底对粒子完全反弹和完全吸附的情况下对应的环境密度恢复时间分别为1713.2μs和1663.2μs,并且随着衬底对粒子临界吸附速度的增大,环境密度恢复时间先增大后减小。
- 邓泽超褚立志丁学成李艳丽梁伟华傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀蒙特卡罗模拟
- 激光退火实现非晶Si晶化的成核势垒研究被引量：5
- 2009年
- 采用脉冲激光烧蚀技术,在真空条件下沉积了一系列非晶Si薄膜,并对薄膜样品进行不同能量密度的激光退火处理。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Raman散射仪(Raman)等手段对退火后的薄膜进行形貌、晶态成分表征,确定了非晶Si薄膜晶化的激光能量密度阈值(85 mJ/cm2)。结合激光晶化机理进行定量计算。结果显示:形成一个18 nm的Si晶粒所需要的能量,即成核势垒大小约为1.4×10-9mJ。
- 邓泽超褚立志丁学成梁伟华傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀激光退火
- 衬底加温和后续热退火法形成纳米硅晶粒成核势垒的比较被引量：2
- 2010年
- 在真空环境中,采用脉冲激光烧蚀技术,分别在衬底加温和室温条件下沉积制备了纳米Si薄膜.对在室温条件下制备得到的非晶Si薄膜,采用后续热退火实现其晶化.通过扫描电子显微镜、Raman散射仪和X射线衍射仪对制备的薄膜形貌、晶态成分进行表征,得到两种情况下纳米Si晶粒形成的阈值温度分别为700℃和850℃,通过定量计算比较了两种情况下晶粒成核势垒的大小,并从能量角度对阈值温度的差别进行了理论分析.
- 邓泽超罗青山褚立志丁学成梁伟华傅广生王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀
