国家自然科学基金(60276011)
- 作品数：2 被引量：8H指数：1
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- 相关机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧源的射频离化对ZnO MOCVD材料生长与性质的影响被引量：1
- 2007年
- 在不同温度条件下,利用低压金属有机源化学气相沉积(LP-MOCVD)系统制备ZnO薄膜,对在氧源离化和非离化两种状态下生长的ZnO薄膜材料进行了相关的研究比较.通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、低温光致发光谱等方法研究了离化参数与生长速率、晶体质量、表面结构以及光学特性之间的相互关系,研究发现射频等离子体离化对薄膜生长速率等参数有明显的影响,通过优化相关离化实验参数可以极大的改进和提高材料的结构和光学性质.
- 李峰顾书林叶建东朱顺明张荣郑有炓
- 关键词：光致发光离化
- Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性被引量：7
- 2005年
- 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降.
- 朱顺明叶建东顾书林刘松民郑有炓张荣施毅
- 关键词：氧化锌掺杂
