国家重点基础研究发展计划(2011CB921404)
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 相关作者：张娜武晓群更多>>
- 相关机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- MgH2（110）表面Pd单原子催化氢脱附反应的第一性原理研究（英文）
- 2019年
- 本文采用第一性原理密度泛函理论计算研究了MgH2(110)表面吸附单原子Pd后的氢脱附反应.计算发现,在吸附一个Pd单原子后,MgH2(110)表面氢脱附反应的能垒可以从1.802eV显著地降低到1.154eV,表明Pd单原子对于氢脱附具有很强的催化效应.并且,Pd单原子催化还可以将氢脱附的温度从573K显著地降低到了367K,从而使MgH2(110)表面的氢脱附反应更加容易和快速地发生.此外,通过MgH2(110)表面氢溢出机制的反向过程来讨论了氢脱附反应的微观过程.该研究表明Pd/MgH2薄膜在未来的实验中可作为良好的储氢材料.
- 吴新星胡伟
- 关键词：储氢
- 低维自旋电子材料的理论设计与调控被引量：3
- 2018年
- 自旋电子器件利用电子的自旋进行信息的传递、处理与存储,是未来信息技术的重要载体.低维体系具有显著的量子耦合效应,是研究电荷/自旋相互作用机制、发展纳米自旋电子器件的重要载体.由于缺陷、杂质、界面以及边界效应等提供的冗余自由度,使得长程有序磁性体系的制备、维护和调控远无法达到器件化的基本条件,寻找具有高居里温度、高自旋极化率等特性的低维材料是目前面临的挑战.基于密度泛函理论、热动力学模拟等第一性原理方法的计算结果,应用合适的物理统计模型,可以加深对低维材料结构-机制-性能的认识,为自旋电子学材料的发展提供理论支持,并通过应力和电荷掺杂,对低维材料的磁性进行调控.
- 吕海峰武晓君
- 关键词：低维材料自旋电子学第一性原理计算
- 基于非金属掺杂g-C3N4的均匀B-C-N三相单层
- 2014年
- 基于第一性原理方法计算,通过在g-C3N4中掺杂C、B和N原子，预测了四种元素均匀分布的B-C-N三元单层材料，除了B4-C3N4单层材料是一个具有1.18eV带隙的半导体，其余三种C-B-N三元单层材料都是金属材料，其中，B3C-C3N4是铁磁金金属，其净磁矩为0.57μB/原胞，可用于构建自旋电子器件材料，计算的形成能显示B-C-N三元体系具有较高的热稳定性。
- 张娜武晓群
- 关键词：密度泛函理论
