国家重点基础研究发展计划(2011CB921404)
- 作品数:4 被引量:13H指数:2
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- MgH2(110)表面Pd单原子催化氢脱附反应的第一性原理研究(英文)
- 2019年
- 本文采用第一性原理密度泛函理论计算研究了MgH2(110)表面吸附单原子Pd后的氢脱附反应.计算发现,在吸附一个Pd单原子后,MgH2(110)表面氢脱附反应的能垒可以从1.802eV显著地降低到1.154eV,表明Pd单原子对于氢脱附具有很强的催化效应.并且,Pd单原子催化还可以将氢脱附的温度从573K显著地降低到了367K,从而使MgH2(110)表面的氢脱附反应更加容易和快速地发生.此外,通过MgH2(110)表面氢溢出机制的反向过程来讨论了氢脱附反应的微观过程.该研究表明Pd/MgH2薄膜在未来的实验中可作为良好的储氢材料.
- 吴新星胡伟
- 关键词:储氢
- 低维自旋电子材料的理论设计与调控被引量:3
- 2018年
- 自旋电子器件利用电子的自旋进行信息的传递、处理与存储,是未来信息技术的重要载体.低维体系具有显著的量子耦合效应,是研究电荷/自旋相互作用机制、发展纳米自旋电子器件的重要载体.由于缺陷、杂质、界面以及边界效应等提供的冗余自由度,使得长程有序磁性体系的制备、维护和调控远无法达到器件化的基本条件,寻找具有高居里温度、高自旋极化率等特性的低维材料是目前面临的挑战.基于密度泛函理论、热动力学模拟等第一性原理方法的计算结果,应用合适的物理统计模型,可以加深对低维材料结构-机制-性能的认识,为自旋电子学材料的发展提供理论支持,并通过应力和电荷掺杂,对低维材料的磁性进行调控.
- 吕海峰武晓君
- 关键词:低维材料自旋电子学第一性原理计算
- 基于非金属掺杂g-C3N4的均匀B-C-N三相单层
- 2014年
- 基于第一性原理方法计算,通过在g-C3N4中掺杂C、B和N原子,预测了四种元素均匀分布的B-C-N三元单层材料,除了B4-C3N4单层材料是一个具有1.18eV带隙的半导体,其余三种C-B-N三元单层材料都是金属材料,其中,B3C-C3N4是铁磁金金属,其净磁矩为0.57μB/原胞,可用于构建自旋电子器件材料,计算的形成能显示B-C-N三元体系具有较高的热稳定性。
- 张娜武晓群
- 关键词:密度泛函理论