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中国科学院知识创新工程(C2-53)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇少子扩散长度
  • 1篇少子寿命
  • 1篇探测器
  • 1篇光伏探测器
  • 1篇变温

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇胡晓宁
  • 1篇张姗

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究
2011年
通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平.
张姗胡晓宁
关键词：少子寿命少子扩散长度
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