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低损耗离子交换玻璃基光波导制备与分析被引量：5: 2009年; 考虑到离子交换和离子扩散工艺的特殊要求,设计并熔制了适合于离子交换工艺的硅酸盐玻璃材料SiO2-B2O3-Al2O3-R’O-R2O(R’=Ca,Mg;R=Na,K).采用Ag+/Na+熔盐离子交换和电场辅助离子扩散工艺在这种玻璃材料基片上获得了掩埋式条形光波导.光学显微镜和电子探针分析表明高折射率的Ag+扩散区位于玻璃基片表面以下约10μm处,形成光波导的芯部.光波导芯部尺寸约为8μm×8μm,与单模光纤芯径尺寸相当,保证了较低的光纤耦合损耗.对光波导的测量结果得出:在波长为1.5μm处条形光波导的传输损耗约为0.1dB/cm,与单模光纤的耦合损耗约为0.2～0.3dB.条形光波导的传输损耗与材料本身的损耗接近,表现出掩埋式光波导的低损耗特征.分析表明,经过进一步优化,这种光波导制备技术可用于低损耗光波导器件的制作.; 郝寅雷郑伟伟江舒杭谷金辉孙一翎杨建义李锡华周强江晓清王明华; 关键词：离子交换

Recent Progress in Silicon Electro-optic Modulators for High Speed Applications: 2008年; Silicon-based high-speed electro-optical modulator is the key component of silicon photonics for future communiction and interconnection systems. In this paper, introduced are the optical mudulation mechanisms in silicon, reviewed are some recent progresses in high-speed silicon modulators, and analyzed are advantages and shortages of the silicon modulators of different types.; XIAO xi YU Jin-zhong; 关键词：SILICON-ON-INSULATOR

SOI亚微米波导光栅的设计与制作被引量：1: 2010年; 报道了SOI基亚微米小尺寸波导光栅器件的设计、制作与测试结果。提出了波导与光栅同步制作的方案,避免了套刻,节约了成本。实验中采用电子束光刻(EBL)、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀等先进半导体工艺技术,结合图形补偿等技术手段,完成了亚微米波导光栅的制作。光栅周期为350nm,占空比16∶19。采用该光栅做反射镜,制作了法布里-珀罗(F-P)谐振腔,经测试得到了与模拟相吻合的结果,峰谷比达到11dB。; 孙阳徐学俊屠晓光陈少武; 关键词：电子束光刻光子集成

面向硅基光互连应用的无源光子集成器件研究进展: 2009年; 光互连是突破传统微电子IC性能瓶颈的重要技术手段,对推进"后摩尔时代"微电子技术的发展和高性能计算技术的实现具有关键性意义。本文在归纳总结不同层次光互连结构特点的基础上,对片上光互连(on-chip or intra-chip optical interconnects)所涉及的若干种无源光子集成器件的设计制备及性能特点进行了分析介绍,这些器件包括SOI亚波长光子线波导、SOI光子晶体波导、MMI分束/合束器、微环/微盘谐振腔滤波器、光子晶体微腔耦合滤波器、光子晶体反射镜等,是硅基片上光互连的基本构成单元。本文对这些关键性光子集成器件的国内最新研究进展进行了报道。; 陈少武余金中徐学俊黄庆忠余和军屠晓光李运涛

玻璃基平面光功分器技术工程化研究被引量：3: 2011年; 利用离子交换技术在玻璃基片上制作的集成光功分器具有工作波长范围宽,结构紧凑,环境稳定性好等特性,适宜批量化生产,成本更低。近年来,玻璃基离子交换光波导器件制备技术逐步发展成熟,基于该技术的集成光功分器的关键技术指标已经满足光通信网络应用的需求,并且在价格上具有很强的竞争力。介绍了玻璃基离子交换光波导制作原理以及玻璃基集成光功分器的技术发展现状,重点介绍了浙江大学在集成光功分器研制与开发方面的工作,包括专用玻璃材料的研制,离子交换技术的改进以及光功分器的结构设计,并报道了对集成光功分器的性能测试结果。; 郝寅雷郑伟伟江舒杭周强李锡华杨建义江晓清王明华; 关键词：离子交换光功分器工程化

Si基芯片光互连研究进展被引量：3: 2009年; 综述了近年来Si基光互连,尤其是和微电子工艺兼容程度较高的芯片间和芯片内的光互连的进展。Luxtera公司已经率先实现了除光源外的所有光子器件的单片集成,IBM也提出并开始实施微电子学领域的片内光互连的技术方案,但Si基光互连大部分还停留在各构建单元器件性能提高的阶段,例如Si基发光、Si波导、Si波导耦合器、Si基调制器及光开关、Si基探测器以及用于光波导器件阵列的WDM技术。此外,还对Si基光源、光纤耦合、偏振敏感性以及光子器件的热稳定性提出了看法。总之,随着各种构建单元器件的综合性能、CMOS工艺兼容度、制备成品率的提高以及光电融合单片集成工艺的突破,光互连最终会成为现实,并引发微电子技术和IC行业的下一场革命。; 程勇鹏陈少武; 关键词：光子集成

电场辅助离子扩散过程中玻璃基片的电导变化被引量：1: 2010年; 实验研究了玻璃基片在电场辅助离子扩散过程中的电导变化规律。结果发现,由于直流电场在玻璃基片中产生的焦耳热效应,离子扩散过程中玻璃基片的温度会明显升高,玻璃基片的电导也按照相应的规律变化;在通常的离子扩散制备掩埋式光波导的过程中,玻璃基片电导值可以增加到初始值的数倍;这种玻璃基片温度及伴随的电导变化,会给玻璃基离子交换光波导制备工艺带来不可忽略的影响。; 郝寅雷谷金辉郑伟伟江舒杭杨建义李锡华周强江晓清王明华; 关键词：电导

空间交叉波导耦合特性分析被引量：1: 2009年; 由两根在空间呈X型放置的光波导组成的空间交叉波导结构是构成垂直耦合光分束器、垂直耦合光滤波器、垂直耦合光开关和垂直耦合上/下复用器等三维集成光学器件的基本结构单元。提出用一种等效模场匹配法分析空间交叉波导耦合特性,将矩形波导的场分布看成是对圆对称光纤场分布的微扰,解决了对角区场分布的表达,从而计算空间交叉波导的耦合长度,并用三维全矢量光束传输法验证了分析结果。将两种方法所得的空间交叉波导耦合长度加以比较,最大误差为1.2%,平均误差为0.9%。结果表明该等效模场匹配法具有精度高、运算速度快等优点,为基于空间交叉波导的三维集成光学器件的设计和分析提供理论基础。; 孙一翎江晓清杨建义王明华; 关键词：三维集成光学

载流子色散型硅基CMOS光子器件被引量：2: 2009年; 为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果,光调制器消光比约18dB,1×2光开关消光比约21dB,谐振环的消光比8～12dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件,将能使集成光子学的发展上一个新的台阶.; 赵勇江晓清杨建义王明华; 关键词：集成光学硅基

基于硅材料的中长红外波段的波导器件研究: 硅基光子学近年来受到了广泛关注,基于硅材料的光互连也备受瞩目,硅材料可以与微电子成熟的CMOS工艺相兼容以及SOI材料的优势,使得大规模生产成为了可能。然而,目前大部分研究主要集中在近红外波段1.55μm的通讯波段,实际...; 江晓清李国懿魏玉欣杨建义王明华; 关键词：光波导器件硅材料集成光子学; 文献传递

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国家重点基础研究发展计划(2007CB613405)

文献类型

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机构

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