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国家自然科学基金(60276021)

作品数:25 被引量:32H指数:3
相关作者:张海英尹军舰陈立强叶甜春李潇更多>>
相关机构:中国科学院微电子研究所四川大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 25篇中文期刊文章

领域

  • 24篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇迁移率
  • 6篇MMIC
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇晶体管
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇低噪
  • 3篇低噪声
  • 3篇电路
  • 3篇赝配高电子迁...
  • 3篇磷化铟
  • 3篇沟道
  • 3篇放大器
  • 3篇PHEMT
  • 3篇ENHANC...
  • 3篇INP
  • 3篇GAAS
  • 2篇单片集成电路

机构

  • 25篇中国科学院微...
  • 3篇四川大学

作者

  • 25篇张海英
  • 13篇尹军舰
  • 10篇陈立强
  • 9篇叶甜春
  • 7篇李志强
  • 7篇李潇
  • 7篇刘亮
  • 6篇张健
  • 4篇李海鸥
  • 4篇刘训春
  • 4篇徐静波
  • 3篇陈普峰
  • 3篇黄华
  • 3篇牛洁斌
  • 3篇黎明
  • 2篇龚敏
  • 2篇田欢欢
  • 2篇王润梅
  • 2篇黄水龙
  • 2篇杨浩

传媒

  • 14篇Journa...
  • 5篇电子器件
  • 2篇物理学报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2009
  • 6篇2008
  • 7篇2007
  • 4篇2006
  • 4篇2005
  • 1篇2004
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种噪声系数为1.4dB的S波段MMIC低噪声放大器
2007年
报道了一种可直接应用于无线接收系统前端的具有较低噪声系数和较高相关增益的MMIC低噪声放大器,该低噪声放大器采用0.50μm GaAs PHEMT工艺技术制作.电路设计采用两级级联结构,为减小电路面积采用集总参数元件匹配电路,并用ADS软件仿真无源元件寄生效应.电路测试结果表明:在2.8~3.5GHz频段内噪声系数低于1.4dB,同时相关增益大于25dB,增益平坦度小于0.5dB,输入输出反射损耗小于-10dB.
黄华张海英杨浩尹军舰叶甜春
关键词:微波单片集成电路低噪声放大器赝配高电子迁移率晶体管S波段
单片集成0·8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管被引量:1
2007年
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/In-GaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.
徐静波张海英尹军舰刘亮李潇叶甜春黎明
关键词:单片集成增强型耗尽型赝配高电子迁移率晶体管阈值电压
InP基PHEMT欧姆接触低温合金化工艺的研究被引量:1
2005年
对InP基PHEMT的源漏欧姆接触低温合金化工艺进行了研究,与常规的合金工艺不同,通过在低温下进行合金化,并采用金属面倒置和快速热退火的办法,制成了比接触电阻为1.26×10-3Ω·cm2 形貌良好的欧姆接触。避免了PHEMT各层化合物半导体之间的相互作用和分解,以及能带结构变化引起的二维电子气退化,也大大减弱了高温带来的肖特基势垒层中的杂质元素往沟道内扩散引起二维电子气迁移率下降的问题。
李潇张海英李海鸥尹军舰刘亮陈立强
关键词:磷化铟低温合金欧姆接触
全数字锁相环非数字模块仿真模型分析与建立被引量:2
2011年
由于锁相环工作频率高,用SPICE对锁相环进行仿真,为了确保仿真精度,时间步长需要设的非常小,数据量大,仿真时间长.而在设计初期,往往并不需要很精确的结果.因此,为了提高全数字锁相环设计效率,有必要为其建立一个高效的仿真模型.在总结前人提出的一些锁相环仿真模型的基础上,用硬件描述语言构建了一种新的适用于全数字锁相环的仿真模型.该模型能使早期的系统级架构选择和算法级行为验证的时间大大缩短.
田欢欢张海英
关键词:振荡器全数字锁相环硬件描述语言仿真模型
A Monolithic InGaP/GaAs HBT VCO for 5GHz Wireless Applications被引量:1
2007年
A monolithic voltage controlled oscillator (VCO) based on negative resistance principle is presented uti-lizing commercially available InGaP/GaAs hetero-junction bipolar transistor (HBT) technology. This VCO is de-signed for 5GHz-band wireless applications. Except for bypass and decoupled capacitors,no external component is needed for real application. Its measured output frequency range is from 4.17 to 4.56GHz,which is very close to the simulation one. And the phase noise at an offset frequency of 1MHz is -112dBc/Hz. The VCO core dissipates 15.5mW from a 3.3V supply,and the output power ranges from 0 to 2dBm. To compare with other oscillators,the figure of merit is calculated,which is about -173.2dBc/Hz. Meanwhile, the principle and design method of nega-tive resistance oscillator are also discussed.
陈立强张健李志强陈普锋张海英
关键词:VCOMMIC
一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量:10
2009年
采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标间的折中。测试结果表明单端跨阻增益高达78dB·Ω,-3dB带宽超过300MHz,100MHz处的等效输入噪声电流谱密度低至6.3pA/(Hz)~(1/2),功耗仅为14.4mW。芯片面积(包括所有PAD)为500μm×460μm。
唐立田张海英黄清华李潇尹军舰
关键词:跨阻放大器CMOS工艺
A Programmable 2.4GHz CMOS Multi-Modulus Frequency Divider被引量:1
2008年
A programmable multi-modulus frequency divider is designed and implemented in a 0. 35μm CMOS process. The multi-modulus frequency divider is a single chip with two dividers in series,which are divided by 4 or 5 prescaler and by 128-255 multi-modulus frequency divider. In the circuit design, power and speed trade-offs are analyzed for the prescaler, and power optimization techniques are used according to the input frequency of each divider cell for the 128-255 multimodulus frequency divider. The chip is designed with ESD protected I/O PAD. The dividers chain can work as high as 2.4GHz with a single ended input signal and beyond 2.6GHz with differential input signals. The dual-modulus prescaler consumes 11mA of current while the 128-255 multi-modulus frequency divider consumes 17mA of current with a 3.3V power supply. The core area of the die without PAD is 0.65mm × 0.3mm. This programmable multi-modulus frequency divider can be used for 2.4GHz ISM band PLL-based frequency synthesizers. To our knowledge, this is the first reported multi-modulus frequency divider with this structure in China.
李志强陈立强张健张海英
关键词:PRESCALERPROGRAMMABLE
0.2μmT形栅技术在10Gbps激光驱动电路研制中的应用
2004年
0.2μm T形栅制作技术在 10 0 mm Ga As激光驱动电路芯片研制中获得了成功的应用 .优化的栅制作工艺保证了形貌良好的栅线条 ,获得了优良的晶体管直流参数和高频性能 .栅工艺重复性好 ,整片内器件性能均匀一致 ,确保了电路的成功研制 .实际电路测试结果表明 ,在 10 0 mm Ga As片上制备的 PHEMT驱动电路的芯片测试合格率达到 70 %以上 。
张海英刘训春罗明雄刘洪民王润梅
关键词:GAASPHEMTT形栅
一种高增益平坦度MMIC功放单片的调试方法被引量:2
2007年
通过对自主流片的MMIC功率放大器单片的调试,总结出了一套行之有效的MMIC的调试方法.试验结果表明这种将电路仿真和实际测试相结合的方法,有效地减小由于模型和工艺误差带来的电路性能的降低,对于以后MMIC电路特别是功放的电路的调试工作起到了一定指导作用.
朱旻梁晓新陈立强郝明丽张海英刘训春
关键词:功放HBTMMIC
A 3GHz Low-Power and Low-Phase-Noise LC VCO with a Self-Biasing Current Source被引量:4
2008年
A fully integrated 3GHz low-power and low-phase-noise voltage-controlled oscillator (VCO) with a self-biasing current source was implemented in a standard 0.18μm CMOS process. A trade-off between noise and power was realized through the optimization of the improved current source. The VCO can be tuned from 2.83 to 3.25GHz with a 13.8% tuning range. The measured phase noise at 1MHz offset is -111dBc/Hz at a frequency of 3.22GHz while the core circuit draws less than 2mA from a 1.8V supply voltage. These results make the circuit suitable for a 5GHz wireless local area network (WLAN) receiver and 3.4 to 3.6GHz world interoperability for microwave access (WiMAX) application.
陈普锋李志强黄水龙张海英叶甜春
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