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中国工程物理研究院科学技术发展基金(2009-B0103004)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：曹超霍合勇孙勇更多>>
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇散射
  • 1篇屏蔽计算
  • 1篇MCNP
  • 1篇大厅

机构

  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 1篇孙勇
  • 1篇霍合勇
  • 1篇曹超

传媒

  • 1篇原子能科学技...

年份

  • 1篇2013
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排序方式：
散射大厅内中子导管屏蔽计算被引量：2
2013年
中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅,为保证大厅工作人员的安全,提供低本底实验环境,必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽。在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下,联合McStas、MCNP,采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算,得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率,验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性,为进一步开展工程设计提供了依据。
孙勇霍合勇曹超
关键词：MCNP屏蔽计算
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