江苏省自然科学基金(BK2009255)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- 相关机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN电感耦合等离子体刻蚀的优化和损伤分析被引量：1
- 2012年
- 通过分别改变电感耦合等离子体(ICP)刻蚀过程中的ICP功率和DC偏压,对ICP刻蚀GaN材料的工艺条件和损伤情况进行了系统的研究。刻蚀后表面的损伤和形貌通过扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、电子能谱(EDS)、荧光光谱(PL)等技术进行表征和分析。实验结果表明,刻蚀速率随ICP功率和DC偏压的增加而增加;刻蚀损伤与DC偏压成正比,而与ICP功率的关系较为复杂。实验中观测到刻蚀后GaN样品的荧光光谱带边发射峰和黄带发射峰的强度均有明显下降,这意味着刻蚀产生的缺陷中存在非辐射复合中心,并且该非辐射复合中心的密度与DC偏压成正比。为了兼顾高刻蚀速率和低刻蚀损伤,建议使用高ICP功率(>450 W)和低DC偏压(<300 V)进行ICP刻蚀。
- 滕龙于治国杨濛张荣谢自力刘斌陈鹏韩平郑有炓施毅
- 关键词：功率
- AlGaN薄膜和AlGaN/AlN超晶格结构横向/纵向生长及应变状态研究
- 我们采用金属有机物化学汽相外延技术(MOCVD)研究了在蓝宝石衬底(α-AlO)生长不同Al组分AlGaN(0002)薄膜(0≤x≤0.8)和AlGaN/AIN超晶格结构。通过缓冲层的设计对AlGaN薄膜中的张应变和压应...
- 刘斌李亮张荣谢自力赵红郑建国韩平修向前陆海陈鹏郑有炓
- 关键词：MOCVDALGAN表面能应变能
- 文献传递
- 比较AAO和SiO_2薄膜对InGaN/GaN MQW出光效率的影响
- 分别在InGaN/GaN多量子阱(MQW)上生长了SiO_2薄膜和孔隙率不同的多孔氧化铝(AAO)膜,测定了这些样品的光致发光谱(PL),并计算了两种薄膜覆盖下的InGaN/GaN多量子阱相比无覆盖时的出光增强因子。实验...
- 刘荣海陈鹏于治国谢自力韩平刘斌宋雪云施毅张荣郑有
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱多孔氧化铝膜
- 文献传递
- AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究被引量：2
- 2012年
- 首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),并分别讨论了量子阱阱层、左右异质结界面和垒层对它们的贡献.结果表明可以通过栅压来调节自旋-轨道耦合系数,子带间自旋轨道耦合系数η_(12)比Rashba自旋劈裂系数α_1,α_2小,但基本在同一数量级.
- 李明张荣刘斌傅德颐赵传阵谢自力修向前郑有炓
- 关键词：二维电子气
