国家自然科学基金(61201044)
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
- 相关作者：张博李欢巩稼民贺刚赵晶更多>>
- 相关机构：西安邮电大学中国科学院大学中国科学院更多>>
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- 基于FPGA的多通道旋转变压器测角系统设计被引量：2
- 2017年
- 给出了一种基于现场可编程门阵列(field-programmable gate array,FPGA)的多通道旋转变压器测角系统的设计和实现方案。该方案硬件采用FPGA、数模转换器和模数转换器,软件采用改进型的坐标旋转数字计算算法。测试结果表明,所设计的旋转变压器解算系统的解算精度可以达到±6.3″,解算通道为4个,具有解算精度高、解算通道多的特点。
- 张博孙治国刘宇刘维红
- 关键词：旋转变压器坐标旋转数字计算机
- 不稳定因子对射频振荡器性能影响的研究
- 2016年
- 为解决射频振荡器低复杂度的问题,减少集总变容器件的使用,研究了不稳定因子对射频振荡器性能的影响,提出了一种新型低复杂度射频振荡器的设计方法,通过调整不稳定因子,实现频率可调。分析了反馈电感与不稳定区位置的相互关系,给出了不稳定区域匹配点选择、终端网络阻抗与振荡器性能的变化规律。仿真结果表明：当终端网络电抗变化范围为-36~36Ω时,振荡频率变化范围为1.8~1.994GHz（10.2%）;当终端网络电阻变化范围为6~35Ω时,振荡频率变化范围为1.8~2.222GHz（21%）。该研究为射频振荡器的设计提供了参考。
- 王敏敏黄玉兰夏璞
- 关键词：射频振荡器振荡频率终端网络
- 双模双待手机互扰的实验验证及解决方案
- 2013年
- 对TDSCDMA—GSM双模双待移动终端的2010～2025MHz频段与1800MHz频段之间的干扰问题进行研究。通过搭建手机天线能够全方位辐射的暗室测试环境以及进行有序的对比实验，获得测试数据验证了两频段之间同频干扰的存在。在没有改动原有PCB板布局和走线的情况下，通过将TD-SCDMA发射通路上功率放大器后端匹配网络改为高通滤波网络而使得系统灵敏度取得7dB的改善。
- 巩稼民李欢张博
- 关键词：双模双待同频干扰灵敏度
- 硅基毫米波太赫兹集成电路研究进展
- 硅基半导体工艺近年来取得了快速的发展,其晶体管的工作频率已经达到了太赫兹频段。基于硅基工艺的毫米波太赫兹集成电路已经在通信、雷达、光谱学以及成像等领域表现出了极好的应用前景。本文概要介绍了国内外硅基毫米波太赫兹集成电路的...
- 林福江张博朱光
- 关键词：集成电路毫米波太赫兹
- 文献传递
- 低功耗2.45GHz射频识别模拟前端
- 2014年
- 采用台湾积体电路制造股份有限公司的0.18μm互补金属氧化物半导体混合信号工艺,设计出一种应用于2.45GHz的射频识别模拟前端芯片,并对射频识别芯片前端电路的关键性模块进行分析和改进,提出一种运用负温度系数电阻构成的带隙基准电路和一种运用延时电路来消除脉冲干扰的复位电路。仿真结果表明,所设计的射频前端芯片能够满足ISO 18000-4协议所提出的系统要求并且整体电路功耗小于1.5μW。
- 张宝军高原张博贺刚
- 关键词：射频识别低功耗GHZ射频前端
- 40Gb/s光通信系统驱动放大器设计被引量：3
- 2014年
- 针对40Gb/s光通信系统对高速芯片的需求,设计出一种微波单片宽带驱动放大器。该放大器基于0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,可用于驱动铌酸锂调制器。放大器的宽带实现方案选择分布式拓扑结构,增益单元选择带有耦合电容的共源共栅结构。利用ADS仿真软件进行设计仿真,结果显示,所设计的放大器在DC-35GHz的工作带宽内增益响应平坦,电压增益大于10dB,增益平坦度为±0.5dB,具驻波特性良好,其输入、输出反射系数在频带内的典型值均小于-10dB;在1dB压缩点的输出功率为20dBm,故设计方案可行。
- 巩稼民李欢张博
- 关键词：光通信分布式放大器共源共栅铌酸锂调制器
- 一种半有源射频识别标签设计被引量：1
- 2014年
- 针对特殊区域对于人员的进出管理和精确定位的需求,设计一款智能半有源射频识别标签。当标签进入事先安放好的线圈之内时被激活,从而与附近的读卡器进行通信,实现定位管理。标签的设计采用德州仪器公司生产的超低功耗MSP430系列单片机控制Nordic公司生产的无线信号收发模块NRF24L01来实现2.4GHz信号的发送。通过对标签的测试表明此设计可以实时发送精确定位管理信息,系统功能稳定,且在2.4GHz频段下信号的覆盖范围和较强的抗干扰能力更加适合这种对人员管理有特殊需求的环境。
- 宋红波答军
- 关键词：MSP430NRF24L01射频识别电子标签
- 400MHz～2.4GHz宽带低噪声放大器设计被引量：2
- 2017年
- 采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz^2.4GHz宽带低噪声放大器。采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度。仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz^2.4GHz,频带内噪声系数为1dB,增益为34dB,增益平坦度为3.1dB,回波损耗优于-10dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求。
- 张博张加傲
- 关键词：低噪声放大器噪声系数增益平坦度
- 高性能25～30GHz 6位单片数控衰减器被引量：3
- 2016年
- 采用0.15μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款高性能25~30GHz 6位单片数控衰减器芯片。电路采用6个基本衰减单元级联结构,通过控制不同衰减位导通状态组合形成64个衰减状态,给出在衰减电阻上并联的衰减结构。仿真结果表明,所设计的数控衰减器具有0.5dB的衰减步进和31.5dB的最大衰减范围;插入损耗小于5.7dB,回波损耗优于-10dB;所有状态衰减精度小于＋0.5dB,附加相移小于-6.0°,衰减幅度均方根误差小于0.21dB,芯片尺寸为2.0mm×1.0mm,可提高衰减精度。
- 张博赵晶张晗李金蕾
- 关键词：数字衰减器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
- 基于0.13μm CMOS工艺的功率放大器设计被引量：1
- 2016年
- 基于0．13μmCMOS工艺，设计13～15GHz带有分布式有源变压器的集成功率放大器。利用分布式有源变压器功率合成的特点，将其作为负载去匹配功放单元，采用共源共栅级与共源级级联的功放单元结构来提高功放单元的增益和输出功率；采用浮栅结构来减小分布式有源变压器和片上巴伦的插入损耗；功分器采用带栅格参考地的结构提高电路的性能。仿真结果表明，在13～15GHz频段，该功放的饱和输出功率为20dBm，功率附加效率为10％，功率增益为12．5dB，输出功率和功率增益有所提高，减小了插入损耗。
- 张博原亚运贺刚
- 关键词：互补金属氧化物半导体浮栅功率放大器
