国家自然科学基金(51072106)
- 作品数：12 被引量：24H指数：3
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- 相关领域：化学工程一般工业技术理学更多>>
- 无铅高居里点BaTiO_3-Bi_(0.5)K_(0.5)TiO_3陶瓷的制备及其PTC性能的研究被引量：2
- 2011年
- 采用固相反应法制备了(1-x)BaTiO3-xBi0.5K0.5TiO3(BT-BKT,x=0,0.1和0.2),对陶瓷样品进行X射线衍射、扫描电镜、介电常数-温度及电阻率-温度测试分析,研究了掺杂BKT对该系统陶瓷相组成、显微结构和电性能的影响。结果表明:BaTiO3陶瓷的晶格参数c轴值随着BKT含量的增加基本不变,而a轴值有所减小。BT-BKT陶瓷的居里温度(Tc)随着BKT的加入向高温移动,当x=0.1和0.2时,Tc分别提高至170℃和185℃左右;但室温电阻率随着BKT含量的增加明显增大。
- 韦继锋蒲永平毛玉琴
- 关键词：固相法电阻率居里温度
- Nb_2O_5掺杂方式对BaTiO_3基无铅PTCR陶瓷性能的影响被引量：3
- 2011年
- 采用固相法制备了BaTiO3基无铅PTCR陶瓷,通过加入Na0.5Bi0.5TiO3作为移峰剂来提高居里点,同时采用不同方式引入施主掺杂剂Nb2O5来降低室温电阻率。对陶瓷的XRD物相分析、SEM微观形貌分析和PTCR性能测试,结果表明引入Nb2O5方式会对BaTiO3基陶瓷的晶胞参数、微观形貌和室温电阻率产生很大影响。随着Nb2O5摩尔浓度的增加,室温电阻率先迅速减小,然后逐渐增大,而且当Nb2O5摩尔含量为0.2mol%时,室温电阻率最小。掺入0.2mol%Nb2O5和3.0mol%Na0.5Bi0.5TiO3时,BaTiO3基陶瓷的室温电阻率为3830Ω.cm,Tc为142℃,PTC突跳幅度为3个数量级。
- 蒲永平吴海东韦继锋
- 关键词：BATIO3PTCR陶瓷NB2O5
- 过渡金属氧化物掺杂钛酸钡取代位置及价态的研究被引量：3
- 2011年
- 从BaTiO3的晶体结构出发,分析了固溶能和晶格畸变对不同价态的过渡金属离子掺杂BaTiO3时取代位置的影响。分析结果表明:Ti4+离子在BaTiO3晶体结构中具有一定的几何松散度,Cr3+、Fe3+、Co3+和Ni2+离子半径与Ti4+的接近,取代Ti位的固溶能均较小;大量实验结果表明,掺杂前后晶格常数的变化与取代Ti位的理论结果相吻合;过渡金属(Cr、Fe、Co和Ni)氧化物掺杂BaTiO3时分别以Cr3+、Fe3+、Co3+和Ni2+取代Ti位掺杂。确定某种贱金属氧化物在BaTiO3中的具体取代位置对制备抗还原的贱金属内电极的BaTiO3基MLCC有重要意义。
- 刘丹蒲永平石轩陈凯
- 关键词：过渡金属氧化物价态
- SrTiO_3掺杂对BaTiO_3-Nb_2O_3-Co_3O_4系统介电性能的影响
- 2011年
- 采用固相法制备了SrTiO3掺杂的BaTiO3-Nb2O5-Co3O4(BNC)系统陶瓷,研究了Sr-TiO3掺杂量(0.001mol%、0.003mol%、0.005mol%、0.008mol%、0.010mol%)及烧结温度(1 300℃、1 320℃、1 340℃、1 360℃)对BNC陶瓷致密度及介电性能的影响.结果表明:随着SrTiO3掺杂量的增加,BNC系统陶瓷致密度、介电常数和介电损耗逐渐增大;SrTiO3掺杂量一定时,随着烧结温度的升高,BNC系统陶瓷密度逐渐升高,介电常数先增大后减小,介电损耗随温度的升高逐渐减小.
- 赵新蒲永平陈小龙
- 关键词：SRTIO3介电性能介电损耗
- Cu含量对BaTiO_3/Cu复相陶瓷材料介电性能的影响被引量：3
- 2011年
- 用传统固相法制备了（1-x）BaTiO3/xCu（x=5 wt%,10 wt%,15 wt%,20 wt%,25 wt%,30 wt%）复相陶瓷,研究了Cu含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响.研究结果表明：BaTiO3/Cu复相陶瓷材料的电阻率随着铜含量的增加而下降,且在渗流阈值（x=25wt%）附近呈现非线性的下降趋势,复合材料从绝缘体逐渐变为导体.室温下1 kHz当Cu含量达到x=30wt%时复相陶瓷的介电常数为~9000,这是由于在导体和绝缘体的相界面处积累大量的空间电荷,并由此产生界面极化,导致介电常数的显著增大,且随着导体含量的增加,这种界面效应更加明显.复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大,但随着频率的升高,由于空间电荷的减少又会使损耗呈现下降的趋势.在25~115℃的温度范围内,复相陶瓷温度系数小于5%,具有很高的介电常数温度稳定性.
- 蒲永平许宁王博吴海东陈凯
- 关键词：渗流理论介电性能
- La_2O_3、Cr_2O_3共掺杂的CCTO陶瓷介电性能研究被引量：1
- 2013年
- 采用氧化物混合工艺制备了La2O3和Cr2O3共掺杂的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷材料。通过XRD、介电温度特性等测试手段,研究了掺杂不同浓度的La2O3和Cr2O3对CCTO体系陶瓷介电性能的影响,并对掺杂机理进行了分析.研究结果表明:分别掺杂La2O3和Cr2O3的CCTO陶瓷的介电损耗为～0.2,比纯的CCTO陶瓷样品低,而介电常数仍保持在～104;掺杂0.03at%La2O3和0.08at%Cr2O3的CCTO陶瓷材料的介电常数为4.4×104,介电损耗可降至0.15.因此,通过共掺杂的方法可以在有效降低CCTO陶瓷介质损耗的同时,仍维持高的介电常数.
- 蒲永平董子靖
- 关键词：掺杂介电性能
- 烧结温度对BaTiO_3多孔陶瓷性能的影响被引量：2
- 2013年
- 采用水基冷冻浇注法制备了具有层状结构的BaTiO3多孔陶瓷,研究了烧结温度对多孔陶瓷微观形貌、收缩率、孔隙率及介电性能的影响,并探讨了高岭土悬浮剂在烧结过程中所起的作用.研究结果表明:高岭土含量4wt%的样品收缩率从1 200℃时的27%升高到1 220℃时的56%,同时孔隙率从78%下降到56%,高岭土含量8wt%的样品收缩率从1 200℃时的30%升高到1 220℃时的61%,同时孔隙率从72%下降到39%;高岭土在烧结过程中起到烧结助剂的作用;烧结温度升高会使孔径变小并导致孔隙排列由有序结构向无序结构转变.高岭土含量为8wt%,烧结温度1 200℃时,可以得到分布均匀的层状结构多孔陶瓷;高岭土含量为4wt%,烧结温度1 220℃时可得到介电常数130的多孔陶瓷.
- 蒲永平李品董子靖
- 关键词：烧结温度孔隙率介电性能多孔陶瓷
- Pr掺杂12CaO·7Al_2O_3陶瓷材料的发光特性被引量：1
- 2011年
- 采用传统高温固相反应法制备了12CaO·7Al2O3∶Pr3＋（C12A7∶Pr3＋）陶瓷,采用X射线粉末衍射（XRD）、电子扫描电镜（SEM）、激发光谱和发射光谱对样品的物相结构及发光性能进行了分析和表征。结果表明：C12A7∶Pr3＋陶瓷样品的衍射峰与C12A7的JCPDS卡片的衍射峰数据一致,属于立方晶系。激发光谱分布在440~490 nm的波长范围内,主激发峰位于488 nm处;发射光谱为多发射峰,最大发射峰位于615 nm处,是典型的Pr3＋的4f-4f和4f-5d激发产生能级跃迁导致的。随着Pr3＋掺杂量的增加,发光强度先增强后减弱,当掺杂浓度为0.2 mol%时,在615nm处发射峰强度达到最大。
- 毛玉琴蒲永平韦继锋
- 关键词：发光特性
- BaSnO_3掺杂对BaTiO_3-Nb_2O_3-Co_3O_4系统介电性能的影响被引量：1
- 2011年
- 采用固相法制备了BaSnO3掺杂的BaTiO3-Nb2O3-Co3O4(BNC)系统陶瓷,研究了BaSnO3掺杂量(0.80 mol%1、.20 mol%、1.80 mol%2、.15 mol%、2.40 mol%)以及烧结温度(1 300℃、1 320℃、1 340℃、1 360℃)对BNC致密度及介电性能的影响.结果表明:随着BaSnO3在BNC陶瓷中掺杂量的增加,BNC系统陶瓷密度以及致密度逐渐降低;而随着烧结温度的升高,其密度以及致密度逐渐提高;随着BaSnO3含量的逐渐增加,陶瓷的室温介电常数呈现出减小的趋势,损耗则逐渐增加;烧结温度的提高有利于其介电性能的改善.
- 赵新蒲永平陈小龙
- 关键词：介电性能
- 低温水热制备BaZrO_3微晶及其结晶动力学研究被引量：2
- 2013年
- 在碱性条件下([NaOH]=0.008 mol/mL),以氯化钡(BaCl2.2H2O)和氧氯化锆(ZrOCl2.8H2O)为原料,采用传统水热法在低温下制备了锆酸钡(BaZrO3)微晶。利用XRD和SEM分别对产物进行了物相组成及微晶形貌的测试与表征。研究了反应温度为135℃时不同反应时间对产物微观结构及形貌变化的影响。结果表明:在135℃下反应2 h即可合成纯相的BaZrO3粉体,且随着水热温度的升高,产物由无定形态变为类球状结构最终变为棱角分明的菱形十二面体结构,结晶程度提高,晶粒尺寸增大。通过对其结晶动力学研究,计算得到BaZrO3微晶的表观成核活化能为24.36 kJ/mol。
- 孙梓雄蒲永平董子靖胡耀
- 关键词：水热法动力学反应活化能
