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国家自然科学基金(11074041)

作品数：10 被引量：24H指数：3
相关作者：赖发春林丽梅林建平瞿燕吴杨微更多>>
相关机构：福建师范大学宁德师范学院更多>>
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相关领域：理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 10篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇溅射
  • 4篇光学
  • 4篇光学性
  • 4篇光学性质
  • 4篇磁控
  • 4篇磁控溅射
  • 3篇发光
  • 2篇退火
  • 2篇热蒸发
  • 2篇纳米
  • 2篇结构和光学性...
  • 2篇溅射制备
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇磁控溅射制备
  • 1篇低压
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇电子束蒸发

机构

  • 10篇福建师范大学
  • 6篇宁德师范学院

作者

  • 10篇赖发春
  • 8篇林丽梅
  • 6篇林建平
  • 5篇瞿燕
  • 4篇吴杨微
  • 3篇关贵清
  • 3篇吕佩伟
  • 2篇郑卫峰
  • 2篇郑明志
  • 2篇兰慧琴
  • 1篇林林
  • 1篇盖荣权
  • 1篇彭福川
  • 1篇林算治
  • 1篇吴晓萍
  • 1篇刘金养
  • 1篇郑卫锋
  • 1篇黄光彩

传媒

  • 5篇福建师范大学...
  • 3篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇光子学报

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响被引量：9
2011年
采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O2气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h。用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质。结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火温度的升高,样品的结晶性能不断提高,晶粒尺寸从500℃的12.37 nm增加到800℃的32.36 nm;光致发光(PL)谱的紫外发射峰随着退火温度的增加向短波方向移动;薄膜的载流子浓度随退火温度升高而单调增加,电阻率则降低;迁移率的变化较为复杂,500℃退火的样品迁移率达到最大值58.80 cm2/Vs,800℃样品的最低为3.16 cm2/Vs。
彭福川吕佩伟林林林丽梅瞿燕赖发春
关键词：电子束蒸发退火
AZO种子层朝向对ZnO纳米棒形貌和发光特性的影响被引量：2
2012年
在水平管式炉中,采用热蒸发锌粉的方法,在镀有掺铝氧化锌(AZO)薄膜的石英基片上制备了大量高密度的ZnO纳米棒,AZO膜面分别正对和背对锌源。利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪以及荧光光谱仪分析AZO膜面朝向对ZnO纳米棒的形貌、微结构及光学性能的影响。结果表明,不同朝向的AZO膜面上所生长的纳米棒具有相似的形貌和微结构。保温时间10min样品的氧空位的缺陷态发光为绿光,强度较强;保温时间15min样品的纳米棒长度较长、相对垂直衬底,其近带边发光较强,氧间隙的缺陷态发光较弱。正对锌源衬底上且保温时间15min样品的近带边发光最强,且缺陷态发光最弱。
林算治林丽梅林建平瞿燕赖发春
关键词：ZNO纳米棒热蒸发形貌
ZnO纳米花的制备及其性能被引量：2
2015年
利用化学气相沉积法,在铜箔上成功制备出形似自然界中刺球花的ZnO纳米花结构.实验进一步研究了氧气和氩气流量比例分别为1:150,1:200,1:250和1:400时对ZnO纳米花结构和性能的影响.结果表明,ZnO纳米花上的ZnO纳米棒的长径比随氧气氛的减少而减小;在氧气和氩气流量比例为1:250时制备出的ZnO纳米花尺寸均匀、形貌均一、花型结构最完美.ZnO纳米花的室温光致发光谱表明,随着氧气氛的减少,可见区域的发光从一个波包变成一个宽峰,且与锌空位相关的缺陷发光峰在减弱,与氧空位相关的缺陷发光峰在增强.基于实验结果,提出了一种在铜箔上制备ZnO纳米花结构的生长模型.
吴晓萍刘金养林丽梅郑卫峰瞿燕赖发春
关键词：铜箔化学气相沉积法光致发光
溅射功率和工作气压对磁控溅射铬薄膜光电学性质的影响
2012年
采用直流磁控溅射方法在石英基片上沉积铬薄膜.研究溅射功率、工作气压对铬薄膜结构、电学和光学性质的影响.利用X射线衍射仪、分光光度计和Van der Pauw方法分别检测薄膜的结构、光学和电学特性,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算薄膜的厚度和光学常数.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态;在工作气压0.6Pa一定时,随着溅射功率从40W增加到120W,沉积速率呈非线性增加,薄膜更加致密,电阻率连续降低,在550nm波长处,薄膜的折射率从3.52增大到功率80W时的最大值(3.88),尔后逐渐减小至3.69;消光系数从1.50逐渐增大到2.20;在溅射功率80W一定时,随着工作气压从0.4Pa增加到1.2Pa,沉积速率呈近线性降低,薄膜的电阻率逐渐变大,在550nm波长处,折射率从3.88减小到3.62,消光系数从2.55减小到1.48.
林建平吴杨微关贵清黄光彩赖发春
关键词：磁控溅射溅射功率工作气压
磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质(英文)被引量：3
2012年
用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5nm～114nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.
林建平林丽梅关贵清吴扬微赖发春
关键词：磁控溅射光学性质电学性质
基片温度对氧化铋薄膜光学性质的影响被引量：2
2011年
在玻璃基片上直流磁控溅射沉积氧化铋薄膜,基片温度从室温增加到300℃并保持其它沉积条件一致,研究基片温度对薄膜光学性能的影响.样品的晶体结构、表面形貌和透射光谱分别用X射线衍射仪、原子力显微镜和分光光度计进行测量.结果表明,随着基片温度的增加,样品中Bi2O3的（120）衍射峰强度增强,表面颗粒直径逐渐减小;基片温度为250,300℃样品出现了Bi2O2.75的（006）衍射峰.采用拟合透射光谱数据的方法计算薄膜的折射率、消光系数及厚度,并求出光学带隙.随基片温度的增加,氧化铋薄膜的折射率减小,消光系数在10-2~10-1数量级,光学带隙在3.51~3.04 eV递减.
郑明志吕佩伟林丽梅瞿燕赖发春
关键词：氧化铋基片温度光学性质
磁控溅射制备钛薄膜的结构和光学性质被引量：5
2012年
利用直流磁控溅射技术在石英基片上沉积厚度为35～112nm的钛薄膜.采用X射线衍射仪和原子力显微镜分别对薄膜的微结构和表面形貌进行观测,用分光光度计测量样品的透射和反射光谱.选用德鲁特光学介电模型,通过拟合样品的透射和反射光谱数据的方法求解钛薄膜的折射率、消光系数和厚度.结果表明,随着厚度的增加,(100)面衍射峰强度增强,薄膜的结晶性能提高;膜厚为56nm时,样品的表面为多孔结构,而大于56nm时表面为连续膜的球形颗粒结构;随膜厚的增加,表面颗粒直径逐渐增大,表面粗糙度减小.在400～2 000nm波长范围内,薄膜的透射率随膜厚的增加而减小,反射率升高;折射率在2.5与3.4之间,消光系数在0.7与1.4之间,折射率和消光系数均随膜厚的增加而增加.
吴杨微郑明志林丽梅林建平郑卫锋赖发春
关键词：钛光学性质表面形貌
真空退火对ZnS与PbS混合薄膜结构和光学性质的影响
2012年
采用电子束蒸发的方法在石英基片上一次沉积厚度约为400nm的ZnS与PbS混合薄膜多个样品,随后将不同样品在3×10-3Pa的真空中分别以100～600℃退火1h.样品的成分、结晶性能、表面形貌和光学性质分别采用X射线能量色散谱、X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜和分光光度计等进行检测.结果表明,制备态样品为非晶态,300℃真空退火的样品已开始结晶;当退火温度不低于500℃时,退火过程中,混合薄膜中的PbS大量挥发,退火后样品中的PbS含量明显减小.随着退火温度从100℃升高到600℃,样品的表面粗糙度和表面颗粒尺寸是先减小、后增大;光学透射率则呈现先升高后下降再升高的变化特性;退火后混合薄膜光学性质的变化与薄膜的成分、结晶性能和表面形貌的变化密切相关.
兰慧琴吴杨微林丽梅林建平瞿燕赖发春
关键词：ZNSPBS真空退火光学性质
PET基片上射频磁控溅射不同厚度ITO薄膜的光电学特性被引量：1
2013年
采用射频磁控溅射技术,室温下在PET柔性衬底上沉积不同厚度的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,样品的结构、形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法测量.实验结果表明:在其它参数不变的条件下,随着溅射时间的增加薄膜的厚度增大,而薄膜的颗粒大小和表面粗糙度也随之变大;方块电阻、电阻率随样品厚度的增加而减小,相应的迁移率减少,载流子浓度变大.当样品厚度为148 nm时,样品的方块电阻为26.5Ω·□-1、迁移率为19.1 cm2·V-1·s-1、载流子浓度为8.43×1020cm-3.
郑卫峰林丽梅吕佩伟盖荣权赖发春
关键词：厚度磁控溅射
不同基底上银薄膜的光电学性质研究被引量：3
2013年
用热蒸发的方法,分别在孔径约为200nm的多孔阳极氧化铝(AAO)模板和空白石英基片上室温沉积厚为25～200nm的Ag薄膜样品,研究膜厚对两种样品的微观结构和光电学性质的影响。微观结构利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)观测,光电学性质应用分光光度计及Van derPauw方法检测。结果表明,石英基片上Ag(QuartzAg)薄膜的结晶性能比AAO模板上Ag(AAO-Ag)薄膜的结晶性能好,当厚为200nm时,AAOAg薄膜形成纳米颗粒的叠层结构;AAOAg薄膜的全反射率和QuartzAg薄膜的反射率均遵循随膜厚增加而增加的规律。在同一厚度和同一波长条件下,AAOAg薄膜的光学反射率比QuartzAg薄膜小很多,当厚为109nm时,在可见光和红外光区域,QuartzAg薄膜的反射率超过95%,而AAOAg薄膜的全反射率为40%;QuartzAg薄膜在厚度为25nm时已导电,而AAOAg薄膜的厚度为37nm时才开始导电。对于同一厚度,AAOAg薄膜的方块电阻比QuartzAg薄膜的大,随着膜厚的增加,它们的差值从厚为37nm时的4.90Ω/口逐渐减小到厚为200nm时的0.37Ω/口。
林建平兰慧琴吴杨微关贵清赖发春
关键词：AAO模板热蒸发
全选 清除 导出
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