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国家自然科学基金(11074063)

作品数:7 被引量:20H指数:2
相关作者:刘保亭贾冬梅朱慧娟赵庆勋郝彦磊更多>>
相关机构:河北大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金河北省应用基础研究计划更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇铁电
  • 2篇溅射
  • 2篇TI
  • 2篇BIFEO3
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 2篇O
  • 2篇PB
  • 1篇电性能
  • 1篇异质结
  • 1篇栅介质
  • 1篇铁电电容器
  • 1篇阻挡层
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇溅射法
  • 1篇溅射法制备

机构

  • 6篇河北大学

作者

  • 6篇刘保亭
  • 3篇贾冬梅
  • 3篇朱慧娟
  • 2篇赵庆勋
  • 2篇郭建新
  • 2篇彭增伟
  • 2篇张宪贵
  • 2篇郝彦磊
  • 1篇周阳
  • 1篇娄建忠
  • 1篇王宽冒
  • 1篇付跃举
  • 1篇代秀红
  • 1篇李曼
  • 1篇赵冬月
  • 1篇齐晨光
  • 1篇魏大勇
  • 1篇马继奎
  • 1篇代鹏超
  • 1篇张婷

传媒

  • 5篇人工晶体学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇Rare M...

年份

  • 4篇2013
  • 3篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
沉积温度对磁控溅射BiFeO3薄膜结构和性能的影响被引量:10
2011年
应用磁控溅射法在以SrRuO3(SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器。采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响。X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构。在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×10-4A/cm2。漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理。实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性。
赵庆勋张婷马继奎魏大勇王宽冒刘保亭
关键词:磁控溅射沉积温度SRRUO3BIFEO3薄膜
外延CeO_2高k栅介质层的结构及介电性能被引量:1
2011年
利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10~40 nm的外延CeO2薄膜,构建了Pt/CeO2/Si MOS结构,研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为1012量级。
娄建忠代鹏超李曼赵冬月刘保亭
关键词:介电性能
Influence of oxygen gas content on the structural and optical properties of ZnO thin films deposited by RF magnetron sputtering at room temperature被引量:7
2011年
Zinc oxide (ZnO) thin films were deposited on sapphire (0001) substrates at room temperature by radiofrequency (RF) magnetron sputtering at oxygen gas contents of 0%, 25%, 50% and 75%, respectively. The influence of oxygen gas content on the structural and optical properties of ZnO thin films was studied by a surface profile measuring system, X-ray diffraction analysis, atomic force microscopy, and UV spectro- photometry. It is found that the size of ZnO crystalline grains increases first and then decreases with the increase of oxygen gas content, and the maximum grain size locates at the 25% oxygen gas content. The crystalline quality and average optical transmittance (〉90%) in the visi- ble-light region of the ZnO film prepared at an oxygen gas content of 25% are better than those of ZnO films at the other contents. The obtained results can be attributed to the resputtefing by energetic oxygen anions in the growing process.
LIU BaotingZHOU YangZHENG HongfangLI ManaGUO ZheHAO QingxunPENG Yingcai
关键词:OXYGEN
(La_(0.5)Sr_(0.5))CoO_3为电极的Pb(Zr_(0.4)Ti_(0.6))O_3和Pb(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3铁电电容器结构及电学性能被引量:1
2013年
分别采用磁控溅射法和溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备了(La0.5Sr0.5)CoO3(LSCO)和Pb(Zr1-xTix)O3(PZT)薄膜,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si基片上构架了LSCO/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3(PZT(40/60))/LSCO和LSCO/Pb(Zr0.2Ti0.8)O3(PZT(20/80))/LSCO铁电电容器,研究了两种铁电电容器的结构和性能。XRD结构分析表明:两种四方相的不同Zr/Ti比例的PZT薄膜均为结晶良好的多晶钙钛矿结构。在5 V测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO和LSCO/PZT(20/80)/LSCO两种铁电电容器的剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为:28μC/cm2和1.2 V以及32μC/cm2和2 V。相对于PZT(40/60),PZT(20/80)具有较大的剩余极化强度和矫顽场,是由于其矩形度(c/a)较大。两种电容器都具有较好的脉宽依赖性和抗疲劳性。在5 V的测试电压下,LSCO/PZT(40/60)/LSCO电容器的漏电流密度为3.2×10-5A/cm2,LSCO/PZT(20/80)/LSCO电容器的漏电流密度为3.11×10-4A/cm2,经拟合分析发现:在0~5 V的范围内,两种电容器都满足欧姆导电机制。
贾冬梅刘保亭彭增伟郝彦磊朱慧娟张宪贵
关键词:铁电电容器矫顽场
保持温度对偏轴磁控溅射法制备BiFeO_3薄膜结构和性能的影响
2013年
本文采用偏轴磁控溅射方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(111)基片上制备了多晶BiFeO3(BFO)薄膜,并构架了Pt/BFO/Pt异质结电容器。利用X射线衍射(XRD)、铁电测试仪等手段研究了保持温度对BFO薄膜结构和性能的影响。XRD图谱表明制备的BFO薄膜均为多晶结构,在保持温度400℃±2℃的区间内得到的BFO薄膜不含明显杂相,其它的温度均有明显的杂相。在保持温度为400℃时得到了较为饱和的电滞回线,在900 nm厚度的情况下,剩余极化强度仍可以达到Pr>40μC/cm2,达到了实际应用的要求Pr>10μC/cm2。漏电流拟合机制表明在低场下属于欧姆机制,在高场下比较接近空间电荷限制电流(SCLC)机制。
郝彦磊刘保亭彭增伟贾冬梅朱慧娟张宪贵
关键词:XRDBIFEO3
含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究被引量:1
2013年
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSCO/PZT/LSCO电容器在5 V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42 V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。
赵庆勋齐晨光贾冬梅付跃举郭建新刘保亭
硅基外延SrRuO_3/PbZr_(0.5)Ti_(0.5)O_3/SrRuO_3电容器的结构和性能研究
2013年
传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究。X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长。在5 V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8 V。当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能。
朱慧娟刘保亭代秀红郭建新周阳
关键词:硅衬底
共1页<1>
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