国家高技术研究发展计划(2001AA312180)
- 作品数：9 被引量：24H指数：3
- 相关作者：谭满清侯识华陈良惠孙永伟赵鼎更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院电子学研究所清华大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐光滤波器被引量：1
- 2006年
- 采用表面微机械技术制作了一种1 310 nm基于InP/空气隙分布布拉格反射镜的微机械可调谐Fabry-Perot光滤波器。该滤波器的通光孔直径约为70μm,在1.4 V的调谐电压下,调谐范围达到15 nm。并采用光学传输矩阵方法,分析了斜入射对这种可调谐光滤波器透射谱的峰值半高宽的影响。
- 侯识华孙捷毛容伟吴旭明马骁宇谭满清陈良惠
- 关键词：可调谐滤波器分布布拉格反射镜FABRY-PEROT
- 键合界面阻抗对VCSEL的电、热学特性的影响被引量：1
- 2005年
- 采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布 详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度。
- 侯识华赵鼎叶晓军孙永伟谭满清陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合电学特性热学特性有限差分法
- 厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移的影响被引量：1
- 2004年
- 采用光学传输矩阵方法分析了厚度偏差对VCSEL的反射谱和反射相移产生的影响。结果表明,反射镜和VCSEL中各层厚度的偏大,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向长波方向移动,而反射镜和VCSEL中各层厚度的偏小,将使反射镜的中心波长以及VCSEL的模式波长向短波方向移动。将键合界面离有源区稍微远一些,有利于减小其厚度偏差对VCSEL的模式波长的影响。
- 侯识华赵鼎孙永伟杨国华谭满清陈良惠
- 关键词：厚度偏差垂直腔面发射激光器晶片键合反射谱反射相移
- 硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1
- 2004年
- 基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。
- 孙洋钱可元韩彦军蔡鹏飞罗毅雷建都童爱军
- 关键词：硅材料湿法刻蚀凸角补偿
- 垂直腔面发射激光器的热学特性被引量：8
- 2005年
- 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电流密度小于或等于阈值电流密度时,晶片键合结构垂直腔面发射激光器的键合界面阻抗、氧化层限制孔径、外加电压以及分布布拉格反射镜的热导率的大小对VCSEL内部温度分布的影响.
- 侯识华赵鼎孙永伟徐云谭满清陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器晶片键合热学特性有限差分法
- 数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响被引量：1
- 2006年
- 通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAs DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1As DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.
- 王小东吴旭明王青曹玉莲何国荣谭满清
- 关键词：垂直腔面发射激光器DBR反射谱反射相移
- 等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：5
- 2004年
- 利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1.31μmInGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性。
- 张立江熊兵王健孙长征钱可元罗毅
- 关键词：减反射膜等离子体增强化学气相沉积
- 台面尺寸对垂直腔面发射激光器电学特性的影响
- 2005年
- 采用求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了不同台面大小的台面结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布和有源层中的注入电流密度、载流子浓度及结压降分布。结果表明,台面尺寸对垂直腔面发射激光器内部的电势分布和有源层中的注入电流密度、载流子浓度及结压降分布有重要影响。在一定的外加电压下,随着台面尺寸减小,有源层中心处的注入电流密度、载流子浓度和结压降急剧减小,垂直腔面发射激光器性能恶化。
- 侯识华赵鼎孙永伟苏艳梅谭满清陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器电势分布电学特性有限差分法
- 具有非均匀渐变界面DBR的光学特性分析被引量：7
- 2006年
- 应用特征矩阵法研究了非均匀渐变界面Al0·9Ga0·1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAsDBR的光学特性。建立了非均匀渐变界面AlyGa1-yAs的折射率模型,并得到了渐变界面特征矩阵的解析解,通过特征矩阵法分别计算了突变GaAs/Al0·9Ga0·1AsDBR和渐变DBR的反射谱和反射相移,分析了非均匀渐变层对DBR光学特性的影响,对渐变DBR,需要在DBR前面再增加一定厚度的非均匀渐变相位匹配层才能使整个DBR满足中心波长相位匹配条件,并通过光学厚度近似方法求出相位匹配层厚度。
- 王小东吴旭明王青曹玉莲何国荣谭满清
- 关键词：DBR反射谱反射相移
