广东省自然科学基金(8151064101000029)
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 相关作者：倪东惠郑军君李元元罗汇果谭文昌更多>>
- 相关机构：华南理工大学惠州学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程冶金工程更多>>
- 放电等离子烧结制备SiC/Ti_3SiC_2复合材料被引量：3
- 2010年
- 以钛粉、硅粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结制备了含20%(摩尔分数,下同)SiC的SiC/Ti3SiC2复合材料,并研究了烧结助剂Al对该复合材料的性能影响。利用X射线衍射分析样品相组成,运用扫描电镜分析材料的显微组织和断口形貌,并对试样的密度、硬度和抗弯强度进行了测定。结果表明,按Ti3Si1.2C2-20%SiC和(Ti3Si1.2C2-20%SiC)+2wt%Al进行成分配比,可制得纯度较高的Ti3SiC2-20%SiC复合材料,两者都含有少量未反应完全的石墨。未加Al的样品还含有微量的TiSi2杂质;添加铝对样品的密度并没有明显影响,但对显微硬度有较大影响,含铝样品的显微硬度明显低于不含铝的样品;含铝和不含铝试样的三点抗弯强度分别为221.0、231.7 MPa。
- 罗汇果倪东惠郑军君李元元
- 关键词：放电等离子烧结烧结助剂
- W与Ti_3SiC_2陶瓷的放电等离子烧结连接被引量：1
- 2012年
- 本研究成功地以放电等离子烧结方法将W和Ti3SiC2块体连接,得到界面结合良好、组织均匀、晶粒细小、没有明显缺陷的界面组织,通过生成以WC和W2C为主的过渡层,连接界面形成了冶金结合,为陶瓷与金属材料的连接提供了一条新途径。
- 易耀勇谢珩倪东惠郑军君
- 关键词：TI3SIC2W放电等离子烧结
- Si含量对放电等离子烧结制备(1-x)Ti_3SiC_2+xSiC复合材料的影响被引量：2
- 2011年
- 以钛粉、硅粉和石墨粉为原料,制备出（1-x）Ti3SiC2＋xSiC（x=0.1-0.8）复合材料,并利用X射线衍射仪对样品进行相组成分析。结果表明：经1 300℃放电等离子烧结15 min后,可以得到纯净的0.9Ti3SiC2-0.1SiC和含有微量石墨的0.2Ti3SiC2-0.8SiC复合材料,0.9Ti3SiC2-0.1SiC和0.2Ti3SiC2-0.8SiC复合材料的显微硬度分别为8.8和10.5 GPa,均明显高于Ti3SiC2的（4 GPa）。随着SiC含量的增加,复合材料的硬度也增加,但杂质（石墨）和孔洞的含量也增多,成分为0.5Ti3SiC2-0.5SiC的复合材料在烧结过程中有少量Si流出;而当SiC含量增加到0.2Ti3SiC2-0.8SiC时,烧结过程中大量的Si流出使得复合材料无法成功烧结。
- 倪东惠谭文昌郑军君罗汇果李元元
- 关键词：复合材料TI3SIC2放电等离子烧结
- 放电等离子烧结Ti/(1-x)Ti_3SiC_2+xSiC层状材料的显微结构
- 2010年
- 以钛粉,硅粉和石墨粉为原料,采用放电等离子烧结技术制备密度为4.14 g/cm3的Ti3SiC2和密度为4.03 g/cm3的0.8 Ti3SiC2+0.2 SiC复合材料,并以此为基础制备Ti/Ti3SiC2/0.8Ti3SiC2+0.2SiC层状材料。通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析材料的显微结构与相组成。结果表明:该层状材料的界面结合紧密,没有明显的孔洞、裂纹等缺陷,各层的相组成符合设计要求。经800℃热处理40 h后Ti/Ti3SiC2界面处生成稳定的TiC层,在高温下该层状材料的界面基本稳定。
- 郑军君倪东惠谭文昌谢珩李元元
- 关键词：层状材料TI3SIC2SIC放电等离子烧结
- 放电等离子烧结钼和钨基体上(1-x)Ti_3SiC_2+xSiC层状复合材料的显微组织
- 2011年
- 以元素粉体为原料,采用分层布粉和放电等离子烧结技术制备了钼基体和钨基体上的(1-x)Ti_3SiC_2+xSiC(x=0,0.1,0.2)层状复合材料,并对其各层及界面显微组织进行分析。结果表明:经1 300℃烧结后,层状复合材料中钼层与Ti_3SiC_2层以及钨层与Ti_3SiC_2层都有明显的过渡层生成,而且过渡层界面都较平直和清晰,界面处没有明显的缺陷,界面结合紧密,钼层和Ti_3SiC_2层的过渡层约有80μm厚,钨层和Ti_3SiC_2层的过渡层则达到50μm;烧结后得到致密的钼层,而钨层则孔洞较多。
- 谭文昌郑军君罗汇果胡昌旭倪东惠
- 关键词：层状复合材料TI3SIC2
- 无压烧结制备Ti_3SiC_2-SiC复合材料块体被引量：1
- 2009年
- 以钛粉、硅粉和石墨粉为原料,通过无压烧结法制备了Ti3SiC2-SiC块体复合材料。利用X射线衍射仪对制得的样品进行相分析,并运用扫描电镜分析材料的微观结构,用差热分析仪测定反应温度。结果表明,Ti∶Si∶C=0.42∶0.23∶0.35时,可制得纯度较高的Ti3SiC2-SiC复合材料块体,只含有极少量的TiSi2杂质。Ti3SiC2晶粒无特定的生长方向,平均长度在10μm以下,厚度小于5μm。略高的Si含量有利于获得纯度较高的Ti3SiC2-SiC复合材料。
- 罗汇果倪东惠郑军君潘国如李元元
- 关键词：TI3SIC2SIC复合材料无压烧结
