上海市科学技术委员会资助项目(01QA14045)
- 作品数：2 被引量：5H指数：2
- 相关作者：李向阳龚海梅王平朱龙源陈江峰更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析被引量：3
- 2006年
- 碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤。根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶液中的电极电势,计算得出阳极氧化的先后顺序为Cd>Te>Hg,并以其构建了一种氧化过程模型,模拟溶液中负电荷离子渗入材料和材料内部各种离子的位置及价态变化,推导出组成结构,与XPS化学组分分析结果十分吻合。在结构方面,该模型成功解释了缺Hg区、富Cd区和富Te区的存在及其位置,并通过俄歇电子能谱(AES)测试得到了验证,说明模型具有一定的合理性。
- 王平朱龙源李向阳龚海梅
- 关键词：碲镉汞电极电势俄歇电子能谱
- GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性被引量：2
- 2004年
- 在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400～800℃范围内进行退火。实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火形成较低接触电阻的欧姆接触,比接触电阻率为3.03×10-4Ωcm2,而载流子浓度为5.88×1018cm-3的掺Si的样品未退火就形成欧姆接触,比接触电阻可达到4.03×10-4Ωcm2。
- 李雪亢勇陈江峰靳秀芳李向阳龚海梅方家熊
- 关键词：传输线模型比接触电阻隧穿电流
