国家自然科学基金(50773014)
- 作品数：6 被引量：7H指数：2
- 相关作者：张丽丽王颖张宏森王颖张丽丽更多>>
- 相关机构：哈尔滨工程大学黑龙江科技学院北京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 溅射方式对NbN薄膜结构及热稳定性的影响被引量：1
- 2010年
- 用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si(100)衬底和Cu膜间制备了30nm的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射方式对NbN薄膜扩散阻挡性能的影响。退火前XRD结果表明,直流溅射制备的NbN薄膜为典型的晶态结构,射频溅射制备的薄膜为典型的非晶态结构。高温退火后的XRD、SEM、FPP、AES研究结果表明非晶态结构的NbN薄膜有更好的扩散阻挡性能,700℃时仍能很好地阻挡Cu原子的扩散。
- 张宏森丁明惠张丽丽蒋保江
- 关键词：扩散阻挡层CU互连磁控溅射
- 磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响被引量：1
- 2008年
- 在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能。
- 丁明惠张宏森张丽丽王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- Cu互连中Ta-Si-N/Zr阻挡层热稳定性的研究被引量：2
- 2010年
- 用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-Si-N(10nm)/Zr(20nm)双层结构的扩散阻挡层。Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品在高纯氮气的保护下从600至800℃退火1h。通过四探针电阻测试仪(FPP)、SEM、XRD和AES研究Cu/Ta-Si-N/Zr/Si系统在退火过程中的热稳定性。结果表明:沉积到Zr膜上的Ta-Si-N表面平坦,为典型的非晶态结构;Cu/Ta-Si-N/Zr/Si样品650℃以上退火后Zr原子扩散到Si中形成的ZrSi2能有效地降低Ta-Si-N与Si之间的接触电阻;Ta-Si-N/Zr阻挡层750℃退火后仍能有效地阻止Cu的扩散。
- 丁明惠毛永军王本力盖登宇郑玉峰
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- 超薄纳米晶Zr-N扩散阻挡性能及其热稳定性的研究被引量：2
- 2008年
- 用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层,Cu/Zr-N/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射参数对Zr-N薄膜电阻率和扩散阻挡性能的影响。实验结果表明,N2分压从20%增加到25%,电阻率快速增高;溅射偏压不同,Zr-N的结构可由非晶态结构转变为纳米晶。纳米晶Zr-N阻挡层650℃退火1h后仍能有效地阻止Cu的扩散。
- 丁明惠张丽丽盖登宇王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- 医用316L不锈钢表面Ta(Ti)N涂层的制备与表征被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射的方法制备了Ti含量不同的Ta(Ti)N涂层并研究了涂层的微观结构和性能。扫描电子显微镜(SEM)照片显示涂层结构致密无大的孔洞。XRD结果显示无Ti掺杂的涂层为面心立方结构的TaN,Ti掺杂的Ta(Ti)N涂层随着Ti掺杂量的增加TaN的衍射峰向高角度偏移,偏移的原因是形成了Ta(Ti)N固溶体。固溶体的形成使Ta(Ti)N涂层的纳米硬度明显高于TaN涂层的纳米硬度。Tafel外推结果表明在PBS溶液中,Ta(Ti)N涂层后的316L不锈钢的耐腐蚀性明显好于基体316L不锈钢的耐腐蚀性。血液相容性实验结果表明Ta(Ti)N涂层的血液相容性明显好于316L不锈钢基体的血液相容性。
- 聂江戴希林丁明惠
- 关键词：纳米力学性能耐腐蚀性能血液相容性
- Zr层插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响被引量：3
- 2009年
- 在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备Ta-N/Zr阻挡层,研究Zr层的插入对Ta-N扩散阻挡性能的影响。结果表明:不同沉积温度下制备的Ta-N均为非晶态结构;Zr层的插入使Ta-N阻挡层的失效温度至少提高100℃,在800℃仍能有效地阻止Cu的扩散。阻挡性能提高的主要原因是高温退火时形成低接触电阻的Zr-Si层。
- 丁明惠张丽丽盖登宇王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
