柳博
作品数: 1被引量:0H指数:0
  • 所属机构:航天工业总公司七七一研究所
  • 所在地区:陕西省 西安市
  • 研究方向:理学

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寒梅
作品数:1被引量:0H指数:0
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供职机构:中国科学院新疆物理研究所
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研究主题:Γ射线 硅 量热计 钴60 电离辐射
MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布
1989年
本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带中央态密度正比于被俘获空穴的密度,硅栅样品的界面态密度在禁带中服从U型分布,而铝栅n衬MOS样品辐照后出现具有确定能级(E_c—E_s=0.41—0.5eV)的界面态密度分布宽峰。
吾勤之刘昶时张玲珊寒梅王方柳博赵元富
关键词:氧化层界面态