-
赵永梅
-
-
- 所属机构:中国科学院半导体研究所
- 所在地区:北京市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 孙国胜
- 作品数：168被引量：54H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
- 刘兴昉
- 作品数：126被引量：54H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
- 宁瑾
- 作品数：72被引量：68H指数：5
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：电极 牺牲层 MEMS 4H-SIC 谐振器
- 赵万顺
- 作品数：134被引量：31H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 外延层 4H-SIC
- 王雷
- 作品数：142被引量：35H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所
- 研究主题：碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
