赵万顺
作品数: 134被引量:31H指数:4
  • 所属机构:中国科学院半导体研究所
  • 所在地区:北京市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家高技术研究发展计划

相关作者

王雷
作品数:142被引量:35H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 SIC 4H-SIC
孙国胜
作品数:168被引量:54H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 3C-SIC 衬底 4H-SIC SIC
曾一平
作品数:583被引量:308H指数:8
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
刘兴昉
作品数:126被引量:54H指数:4
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 衬底 外延层 刻蚀 碳化硅材料
闫果果
作品数:81被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:碳化硅 外延层 衬底 硅源 碳化硅衬底