-
王建利
-
-
- 所属机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 所在地区:天津市
- 研究方向:理学
相关作者
- 兰天平
- 作品数:15被引量:33H指数:4
- 供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题:VGF 砷化镓 位错密度 VB GAAS
- 牛沈军
- 作品数:9被引量:25H指数:4
- 供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题:位错密度 砷化镓 GAAS单晶 晶体生长 GAAS
- 孙强
- 作品数:4被引量:22H指数:3
- 供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题:砷化镓 砷化镓材料 位错密度 VGF 单晶生长
- 周传新
- 作品数:2被引量:8H指数:2
- 供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题:GAAS晶体 GAAS单晶 VGF P型 温度梯度
- 周春峰
- 作品数:1被引量:8H指数:1
- 供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 研究主题:EPD 位错密度 漂移速度 砷化镓材料 砷化镓