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NPN晶体管
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相关度排序
被引量排序
时效性降序
时效性升序
相关度排序
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被引量排序
时效性降序
时效性升序
一种抑制寄生
NPN
晶体管
触发结构和静电放电保护结构
本实用新型公开了一种抑制寄生
NPN
晶体管
触发结构和静电放电保护结构,包括第一
晶体管
、第二
晶体管
、地线总线以及两电阻。其中,第二
晶体管
的外P衬底与第一
晶体管
的外P衬底连接;地线总线的两端分别与第一
晶体管
的集电极、第二
晶体管
...
沈国平
后镇流式纵向
NPN
晶体管
本申请公开了一种后镇流式纵向
NPN
晶体管
。所公开的示例提供具有后镇流式
NPN
双极
晶体管
(140)的集成电路(100)和制造方法,该双极
晶体管
(140)包括在P掺杂区(118)中的n型发射极(129),具有面向发射极(12...
A·A·萨尔曼
G·马图尔
R·冢原
一种纵向β氧化镓
NPN
晶体管
的制备方法
本发明提供了一种纵向β氧化镓
NPN
晶体管
的制备方法。本发明采用了纵向器件结构,在器件的顶部引出发射极和基极,在器件的底部引出集电极;采用铁电层自发极化形成的场域p型掺杂层,规避了现阶段氧化镓p型掺杂难以实现的问题;其中铁...
王刚
李成兵
一种基于离子注入的高厄利电压
NPN
晶体管
制备方法
本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压
NPN
晶体管
制备方法,该制备方法针对
NPN
晶体管
基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理,是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压
NPN
晶体管
的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NP...
孙有民
王清波
赵杰
卓青青
温富刚
王成熙
一种低导通电阻、高放大倍数
NPN
晶体管
及其制备方法
本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数
NPN
晶体管
及其制备方法,通过N型离子注入,在P型衬底上形成BNW区;在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区;在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离;在BNW区上形成...
陈晓宇
赵杰
孙有民
薛智民
电子三极
管
与
NPN
晶体管
复合放大电路
本发明公开了一种用电子
管
和半导体器件两类器件作为放大元件的复合放大电路,其特征在于:电子三极
管
(V)的栅极(g)接偏置电源(B1)的一端;电子三极
管
(V)的阴极(k)接
NPN
晶体管
(Q)的基极(b);电子三极
管
(V)的屏...
李孟宗
文献传递
一种PNP
晶体管
、
NPN
晶体管
电极检测识别装置
本发明公开了一种PNP
晶体管
、
NPN
晶体管
电极检测识别装置,包括机身,所述机身顶壁内设置有右上两开口的换向腔,所述换向腔左右对称设置有前后延伸的传送轴,所述传送轴外表面固定设置有传送轮,本发明根据
晶体管
头重力大于电极部分...
周爱芳
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、
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、
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周爱芳
文献传递
含多级
NPN
晶体管
的驱动电路
本发明提供一种含多级
NPN
晶体管
的驱动电路,包括:N个
NPN
晶体管
,N为大于等于2的正整数,相邻两个
NPN
晶体管
中在前的
NPN
晶体管
的发射极与在后的
NPN
晶体管
的基极相连,所有
NPN
晶体管
的集电极连接在一起并引出一条引出...
黄冲
黄裕泉
许如柏
文献传递
一种基于离子注入的高厄利电压
NPN
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孙有民
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温富刚
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文献传递
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相关作者
孙有民
作品数:40
被引量:4
H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
赵杰
作品数:31
被引量:2
H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
郭旗
作品数:415
被引量:464
H指数:11
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
陆妩
作品数:221
被引量:313
H指数:10
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
郑玉展
作品数:65
被引量:117
H指数:7
供职机构:北京空间飞行器总体设计部
研究主题:单粒子 剂量率 NPN双极晶体管 单粒子翻转 偏置
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