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一种抑制寄生NPN晶体管触发结构和静电放电保护结构
本实用新型公开了一种抑制寄生NPN晶体管触发结构和静电放电保护结构,包括第一晶体管、第二晶体管、地线总线以及两电阻。其中,第二晶体管的外P衬底与第一晶体管的外P衬底连接;地线总线的两端分别与第一晶体管的集电极、第二晶体管...
沈国平
后镇流式纵向NPN晶体管
本申请公开了一种后镇流式纵向NPN晶体管。所公开的示例提供具有后镇流式NPN双极晶体管(140)的集成电路(100)和制造方法,该双极晶体管(140)包括在P掺杂区(118)中的n型发射极(129),具有面向发射极(12...
A·A·萨尔曼G·马图尔R·冢原
一种纵向β氧化镓NPN晶体管的制备方法
本发明提供了一种纵向β氧化镓NPN晶体管的制备方法。本发明采用了纵向器件结构,在器件的顶部引出发射极和基极,在器件的底部引出集电极;采用铁电层自发极化形成的场域p型掺杂层,规避了现阶段氧化镓p型掺杂难以实现的问题;其中铁...
王刚李成兵
一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法
本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法,该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理,是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NP...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法
本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法,通过N型离子注入,在P型衬底上形成BNW区;在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区;在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离;在BNW区上形成...
陈晓宇赵杰孙有民薛智民
电子三极NPN晶体管复合放大电路
本发明公开了一种用电子和半导体器件两类器件作为放大元件的复合放大电路,其特征在于:电子三极(V)的栅极(g)接偏置电源(B1)的一端;电子三极(V)的阴极(k)接NPN晶体管(Q)的基极(b);电子三极(V)的屏...
李孟宗
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一种PNP晶体管NPN晶体管电极检测识别装置
本发明公开了一种PNP晶体管NPN晶体管电极检测识别装置,包括机身,所述机身顶壁内设置有右上两开口的换向腔,所述换向腔左右对称设置有前后延伸的传送轴,所述传送轴外表面固定设置有传送轮,本发明根据晶体管头重力大于电极部分...
周爱芳
一种PNP晶体管NPN晶体管电极检测识别装置
本发明公开了一种PNP晶体管NPN晶体管电极检测识别装置,包括机身,所述机身顶壁内设置有右上两开口的换向腔,所述换向腔左右对称设置有前后延伸的传送轴,所述传送轴外表面固定设置有传送轮,本发明根据晶体管头重力大于电极部分...
周爱芳
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含多级NPN晶体管的驱动电路
本发明提供一种含多级NPN晶体管的驱动电路,包括:N个NPN晶体管,N为大于等于2的正整数,相邻两个NPN晶体管中在前的NPN晶体管的发射极与在后的NPN晶体管的基极相连,所有NPN晶体管的集电极连接在一起并引出一条引出...
黄冲黄裕泉许如柏
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一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法
本发明公开了一种基于离子注入的高厄利电压NPN晶体管制备方法,该制备方法针对NPN晶体管基区杂质浓度分布对厄利电压的影响机理,是一种通过调整基区杂质纵向分布形成高厄立电压NPN晶体管的工艺方法。通过这种工艺方法获得的NP...
孙有民王清波赵杰卓青青温富刚王成熙
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相关作者

孙有民
作品数:40被引量:4H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:抗辐射 发射区 集电区 总剂量辐射 电压
赵杰
作品数:31被引量:2H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所
研究主题:总剂量辐射 发射区 集电区 晶体管结构 电压
郭旗
作品数:415被引量:464H指数:11
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
陆妩
作品数:221被引量:313H指数:10
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
郑玉展
作品数:65被引量:117H指数:7
供职机构:北京空间飞行器总体设计部
研究主题:单粒子 剂量率 NPN双极晶体管 单粒子翻转 偏置